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发明公开
非晶硅的物理气相沉积中的颗粒减少审中-实审

公开(公告)号：CN119856250A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380068103.9

申请日：2023-10-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 房裴娇 , 李明东 , 刘程玉

IPC: H01L21/285 , H01L21/02

Abstract: 公开了通过物理气相沉积工艺沉积非晶硅膜的方法。在一些实施方式中，在物理气相沉积(PVD)处理腔室中沉积非晶硅的方法包括：(a)通过物理气相沉积工艺在设置于基板支撑件上的基板的表面的顶上沉积非晶硅层，与此同时非晶硅亦沉积在PVD处理腔室内的部件的顶上；以及在沉积于部件上的非晶硅的顶上沉积胶层。所述胶层可以是硅化合物。所述硅化合物可以是硅与碳、氮或氧中的一或多者的化合物。在一些实施方式中，硅化合物是SiC、SiN、SiO、SiCN或SiON。

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