公开(公告)号：CN119948597A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380068401.8

申请日：2023-08-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 熊睿通 ,  陆瑞 ,  栗潇博 ,  谢波 ,  刘忆军 ,  夏立群

IPC: H01L21/02

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括：将一种或多种沉积前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。半导体基板可设置于处理区域内。所述方法可包括：在半导体基板上形成低介电常数材料层。所述方法可包括：净化一种或多种沉积前驱物的处理区域。在净化处理区域的同时将等离子体功率维持在小于或约750W。所述方法可包括：在低介电常数材料层上形成界面层。所述方法可包括：在界面层上形成盖层。

公开(公告)号：CN103430291A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280012115.1

申请日：2012-04-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 谢波 ,  A·T·迪莫斯 ,  K·S·伊姆 ,  T·诺瓦克 ,  陈劲文

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: 提供了用于修复受损的低介电常数薄膜的方法。对低介电常数薄膜的损坏发生在处理薄膜期间，诸如，在蚀刻、灰化及平坦化期间。对低介电常数薄膜的处理使水储存在薄膜的孔中且进一步使亲水性化合物形成在低介电常数薄膜结构中。结合紫外线（UV）辐射及硅烷化化合物的修复工艺自孔移除水且进一步自低介电常数薄膜结构移除亲水性化合物。

公开(公告)号：CN119948596A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380068070.8

申请日：2023-08-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·哈弗特 ,  S·甘戈帕迪亚 ,  谢波 ,  刘忆军 ,  熊睿通 ,  陆瑞 ,  栗潇博 ,  夏立群 ,  L·C·卡鲁塔拉格 ,  L·巴格比

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 描述了包括用于在半导体基板上形成低κ膜的半导体处理方法的实施例。处理方法可包括：使一种或多种沉积前驱物流至半导体处理系统，其中一种或多种沉积前驱物包括含硅前驱物。含硅前驱物可包括碳链。所述方法可包括：从一种或多种沉积前驱物生成沉积等离子体。所述方法可包括：从沉积等离子体的等离子体流出物使含硅和碳材料沉积在基板上。所沉积的含硅和碳材料可由小于或约3.0的介电常数表征。

公开(公告)号：CN118043953A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280058581.7

申请日：2022-07-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘程玉 ,  熊睿通 ,  谢波 ,  唐先民 ,  刘宜君 ,  夏立群

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  C23C14/16 ,  C23C14/04 ,  C23C14/34

Abstract: 一种用于基板上的特征的介电填充的方法产生用于窄特征的具有高介电常数的无缝介电填充件。在一些实施方式中，所述方法可包括：将金属材料沉积到特征中以从特征的底部填充特征，其中特征在基板的上表面处具有从小于20nm至近似150nm范围变化的开口，并且其中沉积金属材料使用高离子化物理气相沉积(PVD)工艺执行以形成无缝金属间隙填充件并且通过利用氧化/氮化工艺以氧化/氮化无缝金属间隙填充件的金属材料来处理无缝金属间隙填充件以形成介电材料，其中无缝金属间隙填充件转化为具有高介电常数介电材料的无缝介电间隙填充件。

公开(公告)号：CN102763200A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180010539.X

申请日：2011-02-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 谢波 ,  A·T·迪莫斯 ,  D·拉杰 ,  S·恩戈 ,  K·S·伊姆

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明的实施例关于形成微电子结构。对于下一代32纳米的技术节点，低k电介质材料需要呈现低于约2.6的电介质常数。本发明能利用此低k电介质材料来形成半导体装置，同时提供改善的整体微电子结构的弯曲与剪切强度整合性。