公开(公告)号：CN117120663A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280025633.0

申请日：2022-03-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿卜杜拉·扎法尔 ,  威廉·约翰·杜兰德 ,  种心原 ,  肯里克·乔伊 ,  胡蔚泽 ,  陈劲文 ,  阿米尔·巴亚提 ,  米歇尔·桑佩德罗 ,  菲利普·A·克劳斯 ,  阿道夫·米勒·艾伦

IPC: C23C16/448

Abstract: 本文提供了用于处理基板的方法及设备。例如，被构造为与处理腔室一起使用的气体供应器包括安瓿及传感器组件，该安瓿储存前驱物并包括用于接收载气的输入端和用于向该处理腔室提供载气和前驱物的混合物的输出端，且该传感器组件包括检测器及红外源以及气体测量空间，该红外源可操作地连接至该混合物流经的壳体的外部，且该气体测量空间设置在该壳体内并沿着该壳体的内壁，使得该混合物中的该前驱物的浓度可以由该检测器测量并传送至控制器。

公开(公告)号：CN103430291A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280012115.1

申请日：2012-04-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 谢波 ,  A·T·迪莫斯 ,  K·S·伊姆 ,  T·诺瓦克 ,  陈劲文

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: 提供了用于修复受损的低介电常数薄膜的方法。对低介电常数薄膜的损坏发生在处理薄膜期间，诸如，在蚀刻、灰化及平坦化期间。对低介电常数薄膜的处理使水储存在薄膜的孔中且进一步使亲水性化合物形成在低介电常数薄膜结构中。结合紫外线（UV）辐射及硅烷化化合物的修复工艺自孔移除水且进一步自低介电常数薄膜结构移除亲水性化合物。