公开(公告)号：CN116348989A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180070029.5

申请日：2021-09-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·谢 ,  R·熊 ,  S·恩戈 ,  K·S·伊姆 ,  Y·刘 ,  夏立群

IPC: H01L21/02

Abstract: 描述了在半导体基板上形成低K膜的半导体处理方法的实施例。所述处理方法可包括使沉积前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中。沉积前驱物可包括具有至少一个乙烯基的含硅前驱物。所述方法还可包括在基板处理区域中从沉积前驱物生成沉积等离子体。由小于或为约3.0的介电常数(K值)表征的含硅及碳的材料可以从沉积等离子体的等离子体流出物沉积在基板上。

公开(公告)号：CN102763200A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180010539.X

申请日：2011-02-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 谢波 ,  A·T·迪莫斯 ,  D·拉杰 ,  S·恩戈 ,  K·S·伊姆

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明的实施例关于形成微电子结构。对于下一代32纳米的技术节点，低k电介质材料需要呈现低于约2.6的电介质常数。本发明能利用此低k电介质材料来形成半导体装置，同时提供改善的整体微电子结构的弯曲与剪切强度整合性。

公开(公告)号：CN116490639A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180077241.4

申请日：2021-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·谢 ,  R·熊 ,  S·恩戈 ,  K·S·伊姆 ,  Y·刘 ,  夏立群

IPC: C23C16/30

Abstract: 描述了用于形成经UV处理的低k介电膜的半导体处理方法。所述方法可包括将沉积前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域。沉积前驱物可包括含硅与碳前驱物。所述方法可进一步包括从基板处理区域内的沉积前驱物产生沉积等离子体，以及从沉积等离子体的等离子体流出物在基板上沉积含硅与碳材料。沉积态的含硅与碳材料可以大于或约5％的烃基团为特征。所述方法可又进一步包括将沉积的含硅与碳材料暴露于紫外光。暴露的含硅与碳材料可以小于或约2％的烃基团为特征。

公开(公告)号：CN103238206A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201180057643.4

申请日：2011-11-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·S·伊姆 ,  J·徐 ,  S·恩戈 ,  A·T·迪莫斯

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/02214 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明提供一种用于形成包括气隙的低k介电层的方法及装置。在一个实施例中，提供一种处理基板的方法。该方法包含：将基板安置在处理区域内；在存在等离子体的情况下，将有机硅化合物与氧化气体以及提供致孔剂的前驱物反应，以将包含硅、氧及碳的含致孔剂的低k介电层沉积在基板上；将包含硅、氧及碳的多孔介电加盖层沉积在含致孔剂的低k介电层上；以及紫外线(UV)固化含致孔剂的低k介电层及多孔介电加盖层，以经由多孔介电加盖层从含致孔剂的低k介电层中移除致孔剂的至少一部分，以将含致孔剂的低k介电层转化为具有气隙的多孔低k介电层。

公开(公告)号：CN116438328A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180072292.8

申请日：2021-09-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·谢 ,  R·熊 ,  K·S·伊姆 ,  Y·刘 ,  夏立群 ,  S·恩戈

IPC: C23C16/44

Abstract: 描述了清洁基板处理腔室的示例性半导体处理方法。此方法可包括在基板处理腔室中的第一基板上沉积介电膜，其中介电膜可包括硅碳氧化物。具有介电膜的第一基板可从基板处理腔室移除，及介电膜可沉积在基板处理腔室中的至少还有一个基板上。此至少还有一个基板可在介电膜沉积在此基板上之后从基板处理腔室移除。在移除具有介电膜的最后一个基板之后，蚀刻等离子体流出物可流入基板处理腔室中。蚀刻等离子体流出物可包括大于或约500sccm的NF3等离子体流出物，及大于或约1000sccm的O2等离子体流出物。