公开(公告)号：CN116490639A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180077241.4

申请日：2021-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·谢 ,  R·熊 ,  S·恩戈 ,  K·S·伊姆 ,  Y·刘 ,  夏立群

IPC: C23C16/30

Abstract: 描述了用于形成经UV处理的低k介电膜的半导体处理方法。所述方法可包括将沉积前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域。沉积前驱物可包括含硅与碳前驱物。所述方法可进一步包括从基板处理区域内的沉积前驱物产生沉积等离子体，以及从沉积等离子体的等离子体流出物在基板上沉积含硅与碳材料。沉积态的含硅与碳材料可以大于或约5％的烃基团为特征。所述方法可又进一步包括将沉积的含硅与碳材料暴露于紫外光。暴露的含硅与碳材料可以小于或约2％的烃基团为特征。

公开(公告)号：CN116438328A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180072292.8

申请日：2021-09-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·谢 ,  R·熊 ,  K·S·伊姆 ,  Y·刘 ,  夏立群 ,  S·恩戈

IPC: C23C16/44

Abstract: 描述了清洁基板处理腔室的示例性半导体处理方法。此方法可包括在基板处理腔室中的第一基板上沉积介电膜，其中介电膜可包括硅碳氧化物。具有介电膜的第一基板可从基板处理腔室移除，及介电膜可沉积在基板处理腔室中的至少还有一个基板上。此至少还有一个基板可在介电膜沉积在此基板上之后从基板处理腔室移除。在移除具有介电膜的最后一个基板之后，蚀刻等离子体流出物可流入基板处理腔室中。蚀刻等离子体流出物可包括大于或约500sccm的NF3等离子体流出物，及大于或约1000sccm的O2等离子体流出物。

公开(公告)号：CN115989335A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052804.4

申请日：2021-06-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·谢 ,  K·S·伊姆 ,  Y·刘 ,  夏立群 ,  R·熊

IPC: C23C16/30

Abstract: 形成含硅碳材料的示例性方法可以包括以下步骤：使含硅氧碳前驱物流进半导体处理腔室的处理区中。基板可安放在半导体处理腔室的处理区内。方法可包括以下步骤：在含硅碳前驱物的处理区内形成等离子体。等离子体可以小于15MHz(例如，13.56MHz)的频率形成。方法可包括以下步骤：在基板上沉积含硅碳材料。所沉积的含硅碳材料可由低于或约3.5的介电常数和大于或约3Gpa的硬度来表征。

公开(公告)号：CN116348989A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180070029.5

申请日：2021-09-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·谢 ,  R·熊 ,  S·恩戈 ,  K·S·伊姆 ,  Y·刘 ,  夏立群

IPC: H01L21/02

Abstract: 描述了在半导体基板上形成低K膜的半导体处理方法的实施例。所述处理方法可包括使沉积前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中。沉积前驱物可包括具有至少一个乙烯基的含硅前驱物。所述方法还可包括在基板处理区域中从沉积前驱物生成沉积等离子体。由小于或为约3.0的介电常数(K值)表征的含硅及碳的材料可以从沉积等离子体的等离子体流出物沉积在基板上。