公开(公告)号：CN118043953A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280058581.7

申请日：2022-07-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘程玉 ,  熊睿通 ,  谢波 ,  唐先民 ,  刘宜君 ,  夏立群

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  C23C14/16 ,  C23C14/04 ,  C23C14/34

Abstract: 一种用于基板上的特征的介电填充的方法产生用于窄特征的具有高介电常数的无缝介电填充件。在一些实施方式中，所述方法可包括：将金属材料沉积到特征中以从特征的底部填充特征，其中特征在基板的上表面处具有从小于20nm至近似150nm范围变化的开口，并且其中沉积金属材料使用高离子化物理气相沉积(PVD)工艺执行以形成无缝金属间隙填充件并且通过利用氧化/氮化工艺以氧化/氮化无缝金属间隙填充件的金属材料来处理无缝金属间隙填充件以形成介电材料，其中无缝金属间隙填充件转化为具有高介电常数介电材料的无缝介电间隙填充件。

公开(公告)号：CN101419915B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN200810169676.8

申请日：2008-10-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 许惠雯 ,  刘宜君 ,  夏立群 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈’萨德

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  C23C16/22

CPC classification number: H01L21/02205 ,  C23C16/22 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明一般提供一种形成电介质阻挡层的方法，该电介质阻挡层具有降低的电介质常数、提高的抗蚀刻性和优良的阻挡性能。一个实施例提供一种处理半导体衬底的方法，该方法包括将前驱物供给处理室，其中前驱物包括硅-碳键和碳-碳键，在处理室中产生前驱物的低密度等离子体，以在半导体衬底上形成具有碳-碳键的电介质阻挡膜，其中前驱物中至少部分碳-碳键保持在低密度等离子体中并且混入电介质阻挡膜。