公开(公告)号：CN119948596A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380068070.8

申请日：2023-08-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·哈弗特 ,  S·甘戈帕迪亚 ,  谢波 ,  刘忆军 ,  熊睿通 ,  陆瑞 ,  栗潇博 ,  夏立群 ,  L·C·卡鲁塔拉格 ,  L·巴格比

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 描述了包括用于在半导体基板上形成低κ膜的半导体处理方法的实施例。处理方法可包括：使一种或多种沉积前驱物流至半导体处理系统，其中一种或多种沉积前驱物包括含硅前驱物。含硅前驱物可包括碳链。所述方法可包括：从一种或多种沉积前驱物生成沉积等离子体。所述方法可包括：从沉积等离子体的等离子体流出物使含硅和碳材料沉积在基板上。所沉积的含硅和碳材料可由小于或约3.0的介电常数表征。

公开(公告)号：CN119948597A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380068401.8

申请日：2023-08-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 熊睿通 ,  陆瑞 ,  栗潇博 ,  谢波 ,  刘忆军 ,  夏立群

IPC: H01L21/02

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括：将一种或多种沉积前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。半导体基板可设置于处理区域内。所述方法可包括：在半导体基板上形成低介电常数材料层。所述方法可包括：净化一种或多种沉积前驱物的处理区域。在净化处理区域的同时将等离子体功率维持在小于或约750W。所述方法可包括：在低介电常数材料层上形成界面层。所述方法可包括：在界面层上形成盖层。