公开(公告)号：CN119768908A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202380064123.9

申请日：2023-09-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吕疆 ,  吴立其 ,  窦伟 ,  叶伟峰 ,  陈世忠 ,  汪荣军 ,  唐先敏 ,  万一扬 ,  张书锚 ,  郭涧秋

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L23/532

Abstract: 用于减小接触电阻的方法包括在中间工序(MOL)接触结构上执行选择性硅化钛(TiSi)沉积工艺，该中间工序(MOL)接触结构包括在介电材料的基板中的空腔。接触结构亦包括在空腔的底部处的硅基连接部分。相对于介电材料，选择性TiSi沉积工艺对硅基材料有选择性。方法亦包括在MOL接触结构上执行金属材料的选择性沉积工艺。相对于介电材料，选择性沉积工艺对TiSi材料有选择性且在硅基连接部分上形成硅化物封盖层。方法进一步包括在接触结构上执行金属材料的种晶层沉积工艺。

公开(公告)号：CN119563225A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202280096282.2

申请日：2022-07-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 万一扬 ,  叶伟峰 ,  张书锚 ,  侯凯中 ,  吕疆 ,  周磊 ,  吴典晔 ,  道格拉斯·龙 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  江莹冰 ,  汪荣军 ,  唐先敏 ,  哈伯特·冲

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文提供了用于处理基板的方法和设备。例如，一种用于处理基板的方法包括在盖加热器与处理腔室的喷头之间或喷头与基板之间的区域中形成四氯化钛(TiCl4)、氢(H2)与氩(Ar)之间的等离子体反应，与此同时以约5kHz至约100kHz的脉冲频率及约10％至约20％的占空比提供RF功率；以及使反应产物流至处理腔室中以在基板的硅表面上选择性地形成钛材料层。