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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119497909A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380053394.4
申请日：2023-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 提供用于在半导体装置中进行钨间隙填充的方法与设备。方法包含：执行梯度氧化工艺以氧化衬垫层的暴露部分，其中梯度氧化工艺优先氧化衬垫层的悬突部分，悬突部分阻碍或阻挡形成在基板的场区域内的一个或多个特征的顶部开口。方法进一步包含：执行回蚀工艺以去除或减少衬垫层的氧化悬突部分；将衬垫层暴露于化学气相传输（CVT）工艺以去除梯度氧化工艺和回蚀工艺残留的金属氧化物；和执行钨间隙填充工艺以填充或部分填充一个或多个特征。
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公开(公告)号：CN119072768A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202380034539.6
申请日：2023-03-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 许智勋 , 岳诗雨 , 雷蔚 , 徐翼 , 吕疆 , 雷雨 , 熊子逸 , 杨宗翰 , 亓智敏 , 张爱西 , 张洁 , 吴立其 , 汪荣军 , 陈世忠 , 吴孟珊 , 王俊杰 , 安娜马莱·雷克什马南 , 杨逸雄 , 唐先敏
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32
Abstract: 提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法及设备。该方法包括在基板的暴露表面上形成金属种晶层，其中基板具有在基板的顶表面中形成的沟槽或通孔形式的特征，所述特征具有侧壁及在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化工艺以氧化金属种晶层的暴露部分，从而形成金属氧化物，其中梯度氧化工艺优先氧化基板的场区域而非特征底表面。回蚀工艺去除或减少种晶层的氧化部分。金属间隙填充工艺用间隙填充材料填充或部分填充特征。
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公开(公告)号：CN119054068A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202380034945.2
申请日：2023-03-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06 , H01L21/67
Abstract: 提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法和装置。该方法包括在基板的暴露的顶表面上形成金属种晶层，其中基板具有形成在基板的顶表面中的沟槽或通孔形式的特征，该特征具有侧壁和在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化处理以氧化金属种晶层的暴露部分以形成金属氧化物，其中梯度氧化处理优先氧化特征的底表面上方的基板的场区域。回蚀处理去除种晶层的氧化部分。第二蚀刻处理去除种晶层的其他部分。金属间隙填充处理用间隙填充材料填充或部分地填充特征。
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公开(公告)号：CN308983493S
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202330851780.0
申请日：2023-12-25
Applicant: 应用材料公司
Designer： 德维·拉加维·维拉潘 , 袁小雄 , 张培玉 , 夏博睿 , 许智勋
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：气体扩散器。
2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品是喷头气体分配单元，该喷头气体分配单元在半导体处理腔室中使用以清洁半导体晶片表面。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
5.其他需要说明的情形其他说明：立体图1是气体扩散器的顶部前方右侧的视图，立体图2是其底部前方右侧的视图，立体图3是其顶部后方左侧的视图，立体图4是其底部后方左侧的视图。 -
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