公开(公告)号：CN106558474B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201610848019.0

申请日：2016-09-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·麦巴奇 ,  E·Y·叶 ,  M·B·奈克 ,  S·D·耐马尼

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本文所述的实现方式大体涉及金属硅化物的选择性沉积的方法。更具体地，本文所述的实现方式大体涉及形成用于半导体应用的硅化镍纳米线的方法。在一个实现方式中，提供一种处理基板的方法。所述方法包括以下步骤：在基板表面上形成含硅层；在所述含硅层上形成含金属层，所述含金属层包含过渡金属；在所述含金属层的暴露的表面上形成约束层；以及在低于400摄氏度的温度下使所述基板退火，以便从所述含硅层和所述含金属层形成金属硅化物层，其中所述约束层抑制富金属的金属硅化物相的形成。

公开(公告)号：CN105917440A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480073342.4

申请日：2014-12-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  C-L·高 ,  S·S·康 ,  J·T·彭德 ,  S·D·耐马尼 ,  M·B·奈克

IPC: H01L21/027

Abstract: 提供了用于消除双镶嵌结构中的传导层的早期暴露且用于蚀刻双镶嵌结构中的电介质阻挡层的方法。在一个实施例中，用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法包括下列步骤：将硬掩模层用作蚀刻掩模来图案化基板，所述基板具有设置在电介质阻挡层上的电介质块状绝缘层，所述硬掩模层设置在电介质块状绝缘层上；在去除所述电介质块状绝缘层之后，暴露电介质阻挡层的未由所述电介质块状绝缘层的部分；从所述基板中去除所述硬掩模层；以及后续蚀刻由所述电介质块状绝缘层暴露的电介质阻挡层。

公开(公告)号：CN105917440B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201480073342.4

申请日：2014-12-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  C-L·高 ,  S·S·康 ,  J·T·彭德 ,  S·D·耐马尼 ,  M·B·奈克

IPC: H01L21/027

Abstract: 提供了用于消除双镶嵌结构中的传导层的早期暴露且用于蚀刻双镶嵌结构中的电介质阻挡层的方法。在一个实施例中，用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法包括下列步骤：将硬掩模层用作蚀刻掩模来图案化基板，所述基板具有设置在电介质阻挡层上的电介质块状绝缘层，所述硬掩模层设置在电介质块状绝缘层上；在去除未由所述硬掩模层覆盖的所述电介质块状绝缘层之后，暴露电介质阻挡层的部分；从所述基板中去除所述硬掩模层；以及后续蚀刻由所述电介质块状绝缘层暴露的电介质阻挡层。

公开(公告)号：CN106463456A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580009997.X

申请日：2015-01-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  M·B·奈克 ,  曹勇 ,  S·R·V·克萨普拉嘎达 ,  石美仪 ,  程亚娜

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76841 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849

Abstract: 提供了用于在互连结构中的绝缘材料中所形成的金属接线层上形成钝化保护结构的方法。在一个实施例中，用于在半导体器件的互连结构中的金属接线上形成钝化保护的方法包括：在并入多腔室处理系统的处理腔室中的基板上所形成的互连结构中的由电介质块状绝缘层界定的金属接线上选择性地形成金属覆层；在处理腔室中，在基板上原位地形成阻挡层，其中所述阻挡层是金属电介质层；以及在多腔室处理系统中，在阻挡层上形成电介质覆层。

公开(公告)号：CN105814678A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480068113.3

申请日：2014-12-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·B·奈克 ,  任河 ,  崔振江

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/7682 ,  C23C16/303 ,  C23C16/36 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834

Abstract: 一种用于在集成层堆叠中形成气隙结构的方法，该方法包括在真空下在处理系统中干蚀刻设置在堆叠上的模具层。模具层设置于一个或多个互连件之间，且模具层的干蚀刻的工艺暴露互连件的至少一部分。该方法还包括在互连件的所暴露的部分上沉积衬垫层。在另一个实施例中，一种用于在集成层堆叠中形成气隙结构的方法，包括在真空下在处理系统中的第一处理腔室中干蚀刻设置在堆叠上的氧化物模具层。该方法还包括在互连件上沉积低?k材料衬垫层，其中衬垫具有小于约2纳米的厚度。在处理系统中执行本文中公开的方法而没有破坏真空。

公开(公告)号：CN110444509B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN201910748960.9

申请日：2015-03-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  M·B·奈克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/764

Abstract: 本文所述的实施例涉及形成气隙互连的方法。将金属间隔垫层共形地沉积在其上形成有心轴结构的基板上。蚀刻金属间隔垫层以形成间隔垫特征并从基板移除心轴结构。可执行多种其他电介质沉积、图案化与蚀刻步骤以期望地图案化基板上存在的材料。最终，在相邻的间隔垫特征之间形成沟槽并在沟槽上沉积盖层以在相邻的间隔垫特征之间形成气隙。为了封装目的，互连通孔可配置成接触邻近气隙的间隔垫特征中的至少一者。

公开(公告)号：CN106463456B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201580009997.X

申请日：2015-01-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  M·B·奈克 ,  曹勇 ,  S·R·V·克萨普拉嘎达 ,  石美仪 ,  程亚娜

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76841 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849

Abstract: 提供了用于在互连结构中的绝缘材料中所形成的金属接线层上形成钝化保护结构的方法。在一个实施例中，用于在半导体器件的互连结构中的金属接线上形成钝化保护的方法包括：在并入多腔室处理系统的处理腔室中的基板上所形成的互连结构中的由电介质块状绝缘层界定的金属接线上选择性地形成金属覆层；在处理腔室中，在基板上原位地形成阻挡层，其中所述阻挡层是金属电介质层；以及在多腔室处理系统中，在阻挡层上形成电介质覆层。

公开(公告)号：CN105830210A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201480069735.8

申请日：2014-11-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  A·B·玛里克 ,  M·B·奈克 ,  S·D·耐马尼

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种形成用于半导体器件中的互连结构的方法。该方法开始于将低k块状介电层形成在基板上并接着在低k块状介电层中形成沟槽。在低k块状介电层上形成衬里层，该衬里层共形地沉积到该沟槽。在衬里层上形成铜层，该铜层填充沟槽。移除铜层与衬里层的部分以形成低k块状介电层、衬里层与铜层的上表面。在低k块状介电层、衬里层与铜层的上表面上形成含金属介电层。

公开(公告)号：CN106463396B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201580006488.1

申请日：2015-01-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  M·B·奈克 ,  曹勇 ,  石美仪 ,  程亚娜 ,  S·R·V·克萨普拉嘎达

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28

Abstract: 描述一种在半导体器件中使用的互连件结构和用于制造所述互连件结构的方法。所述方法包括将基板定位在真空处理腔室中。所述基板具有暴露的铜表面和暴露的低k电介质表面。金属层形成在所述铜表面上方而不是在所述低k电介质表面上方。基于金属的电介质层形成在所述金属层和所述低k电介质层上方。

公开(公告)号：CN110444509A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910748960.9

申请日：2015-03-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  M·B·奈克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/764

Abstract: 本文所述的实施例涉及形成气隙互连的方法。将金属间隔垫层共形地沉积在其上形成有心轴结构的基板上。蚀刻金属间隔垫层以形成间隔垫特征并从基板移除心轴结构。可执行多种其他电介质沉积、图案化与蚀刻步骤以期望地图案化基板上存在的材料。最终，在相邻的间隔垫特征之间形成沟槽并在沟槽上沉积盖层以在相邻的间隔垫特征之间形成气隙。为了封装目的，互连通孔可配置成接触邻近气隙的间隔垫特征中的至少一者。