公开(公告)号：CN100594259C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200680002599.6

申请日：2006-01-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 迪奈什·帕德海 ,  干纳施·巴拉苏布拉马尼恩 ,  安纳马莱·拉克师马纳 ,  崔振江 ,  均·卡洛斯·若彻-阿勒圭瑞 ,  金博宏 ,  海澈姆·穆萨德 ,  史蒂文·雷特尔 ,  福兰斯马尔·斯楚弥特

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/02

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/029 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274

Abstract: 本发明提供了一种在不存在等离子体电弧放电的条件下沉积有机硅电介质层的方法，所述有机硅电介质层对设置在单个处理室中的下方衬底具有高粘附强度。该方法包括：将衬底定位在具有通电电极的处理室中；将界面气体混合物流入所述处理室，所述界面气体混合物包含一种或更多种有机硅化合物和一种或更多种氧化气体；通过改变工艺参数，将氧化硅层沉积在所述衬底上，其中所述通电电极的DC偏压的变化小于60伏特。

公开(公告)号：CN1938833A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580010028.2

申请日：2005-03-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 福兰斯马尔·斯楚弥特 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  德里克·R·维蒂 ,  海澈姆·穆萨德 ,  安相和 ,  莱斯特·A·德库兹 ,  卡勒德·A·埃彻尔 ,  崔振江

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3105 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76832 ,  H01L2221/1047

Abstract: 通过形成比其上方的多孔低k膜碳含量更低、氧化硅含量更高的中间层，改善了多孔低k膜与下方的阻挡层的粘附。粘附层可以单独或者组合使用多种技术来形成。在一个方案中，紧接低k材料的沉积之前，可以通过引入富氧化气体，诸如O2/CO2等，来氧化Si前驱体，形成粘附层。在另一个方案中，在低k膜沉积之前，去除诸如α－萜品烯、异丙基苯或者其它非含氧有机物之类的热不稳定化学品。在另一个方案中，诸如引入非含硅组分的方式的硬件或处理参数可以被修改，以使得在低k膜沉积之前可以形成氧化物界面。在另一个方案中，诸如剂量和能量之类的电子束处理参数或者热退火的使用，可以被控制来去除阻挡材料和低k膜中间的界面处的碳物质。在另一个方案中，在低k沉积之前可以引入预处理等离子体，以增强阻挡界面的加热，使得在低k沉积气体被引入并且沉积低k膜时形成薄的氧化物界面。

公开(公告)号：CN115803846A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202280004073.0

申请日：2022-02-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王柏玮 ,  O·贾恩 ,  R·P·雷迪 ,  X·陈 ,  崔振江 ,  王安川

IPC: H01J37/32

Abstract: 示例性蚀刻方法可包括使含氧前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域，同时激发等离子体以产生氧等离子体流出物。方法可包括使容纳在处理区域中的基板与氧等离子体流出物接触。基板可限定氮化钛的暴露区域。接触可在氮化钛上产生氧化表面。方法可包括将含卤素前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域，同时激发等离子体以产生卤素等离子体流出物。方法可包括使氮化钛上的氧化表面与卤素等离子体流出物接触。方法可包括去除氮化钛上的氧化表面。

公开(公告)号：CN115552574A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202280004116.5

申请日：2022-04-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王柏玮 ,  X·C·陈 ,  R·P·雷迪 ,  O·贾恩 ,  崔振江 ,  王安川

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/02

Abstract: 示例性蚀刻方法可包括使含氧前驱物流入半导体处理腔室的处理区域中。所述方法可包括：使容纳在处理区域中的基板与含氧前驱物接触。基板可包括暴露的钌区域，并且所述接触可产生四氧化钌。所述方法可包括：使四氧化钌从暴露的钌区域的表面汽化。可保留一定量的氧化的钌。所述方法可包括：使氧化的钌与含氢前驱物接触。所述方法可包括：去除氧化的钌。

公开(公告)号：CN115552572A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202180033873.0

申请日：2021-11-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 崔振江 ,  R·P·雷迪 ,  王安川

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/768

Abstract: 示例性蚀刻方法可包括：使含卤素前驱物流动至半导体处理腔室的远程等离子体区域中同时激发等离子体以产生等离子体流出物。方法可包括：使容纳于处理区域中的基板接触等离子体流出物。基板可限定氧化钨的暴露区域。接触可产生氟氧化钨材料。方法可包括：使蚀刻剂前驱物流动至处理区域中。方法可包括：使氟氧化钨材料接触蚀刻剂前驱物。方法可包括：去除氟氧化钨材料。

公开(公告)号：CN102543850A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110375127.8

申请日：2011-11-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 安娜马莱·雷克什马南 ,  崔振江 ,  梅休尔·内克 ,  西伊-恩·潘 ,  珍妮弗·山 ,  保尔·F·马

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3105 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明提供了一种方法，用于在消耗低k膜中碳的工艺之后将碳重新加入到该膜中。此外，还描述了一种用于补偿被消耗碳并用氮化钽覆盖的方法。

公开(公告)号：CN101388359B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200810211824.8

申请日：2005-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 纳格哈彦·哈加高帕兰 ,  梅彦·水克 ,  艾伯特·李 ,  安纳马莱·拉克师马纳 ,  夏立群 ,  崔振江

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  H01L23/532 ,  C23C16/32

CPC classification number: H01L21/321 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886

Abstract: 本发明提供了在导电材料与电介质层之间沉积粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：放置具有位于衬底表面上的导电材料的衬底；使所述衬底暴露于还原化合物、硅基化合物或上述二者中；使所述衬底表面的至少一部分与所述还原化合物、所述硅基化合物或上述二者反应；并且，在不破坏真空的条件下沉积硅碳化物层。

公开(公告)号：CN100481379C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580017862.4

申请日：2005-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 纳格哈彦·哈加高帕兰 ,  梅彦·水克 ,  艾伯特·李 ,  安纳马莱·拉克师马纳 ,  夏立群 ,  崔振江

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/321 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886

Abstract: 本发明提供了在导电材料与电介质层之间沉积粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：放置具有位于衬底表面上的导电材料的衬底；使所述衬底暴露于还原化合物、硅基化合物或上述二者中；使所述衬底表面的至少一部分与所述还原化合物、所述硅基化合物或上述二者反应；并且，在不破坏真空的条件下沉积硅碳化物层。

公开(公告)号：CN117916865A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280032771.1

申请日：2022-04-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王柏玮 ,  X·C·陈 ,  R·P·雷迪 ,  O·贾恩 ,  崔振江 ,  王安川

IPC: H01L21/3213 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27

Abstract: 蚀刻的示例性方法可包括使含氟前驱物及二次气体流动至半导体处理腔室的处理区域中。二次气体可为或包括氧气或氮气。含氟前驱物与二次气体的流动速率比可为大于或约1:1。所述方法可包括使基板与含氟前驱物及二次气体接触。基板可包括暴露的金属。基板可界定高深宽比特征。所述方法可包括蚀刻在高深宽比结构内的暴露的金属。

公开(公告)号：CN115485821A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180032187.1

申请日：2021-09-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 崔振江 ,  王安川 ,  R·P·雷迪 ,  X·陈

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 示例性的蚀刻方法可包括使含卤素前驱物流至半导体处理腔室的基板处理区域中。含卤素前驱物的特征可在于气体密度大于或约为5g/L。方法可包括用含卤素前驱物接触基板处理区域中容纳的基板。基板可界定含卤素材料的暴露区域。接触可产生卤化铝材料。方法可包括使蚀刻剂前驱物流至基板处理区域中。方法可包括用蚀刻剂前驱物接触卤化铝材料。方法可包括移除卤化铝材料。