公开(公告)号：CN101388359A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810211824.8

申请日：2005-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 纳格哈彦·哈加高帕兰 ,  梅彦·水克 ,  艾伯特·李 ,  安纳马莱·拉克师马纳 ,  夏立群 ,  崔振江

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  H01L23/532 ,  C23C16/32

CPC classification number: H01L21/321 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886

Abstract: 本发明提供了在导电材料与电介质层之间沉积粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：放置具有位于衬底表面上的导电材料的衬底；使所述衬底暴露于还原化合物、硅基化合物或上述二者中；使所述衬底表面的至少一部分与所述还原化合物、所述硅基化合物或上述二者反应；并且，在不破坏真空的条件下沉积硅碳化物层。

公开(公告)号：CN1961418A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200580017862.4

申请日：2005-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 纳格哈彦·哈加高帕兰 ,  梅彦·水克 ,  艾伯特·李 ,  安纳马莱·拉克师马纳 ,  夏立群 ,  崔振江

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/321 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886

Abstract: 本发明提供了在导电材料与电介质层之间沉积粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：放置具有位于衬底表面上的导电材料的衬底；使所述衬底暴露于还原化合物、硅基化合物或上述二者中；使所述衬底表面的至少一部分与所述还原化合物、所述硅基化合物或上述二者反应；并且，在不破坏真空的条件下沉积硅碳化物层。

公开(公告)号：CN101388359B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200810211824.8

申请日：2005-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 纳格哈彦·哈加高帕兰 ,  梅彦·水克 ,  艾伯特·李 ,  安纳马莱·拉克师马纳 ,  夏立群 ,  崔振江

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  H01L23/532 ,  C23C16/32

CPC classification number: H01L21/321 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886

Abstract: 本发明提供了在导电材料与电介质层之间沉积粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：放置具有位于衬底表面上的导电材料的衬底；使所述衬底暴露于还原化合物、硅基化合物或上述二者中；使所述衬底表面的至少一部分与所述还原化合物、所述硅基化合物或上述二者反应；并且，在不破坏真空的条件下沉积硅碳化物层。

公开(公告)号：CN100577865C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200580037552.9

申请日：2005-11-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 纳格哈彦·哈加高帕兰 ,  夏立群 ,  米歇拉·巴尔瑟努 ,  托马斯·诺瓦克 ,  哈恩简纳·沙赫 ,  许汇文 ,  查德·彼得森 ,  德里克·R·维蒂 ,  海澈姆·穆萨德

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31633

Abstract: 本发明公开了一种用于对沉积室进行干燥的方法，其中，在衬底上沉积有机硅材料之前，用不含碳的材料对室部件和壁进行致密的涂敷。可以在其间沉积含碳层。提供了一种使用低能量等离子体和低压来从内部室表面除去残余物的室清洁方法，该方法可以与干燥处理相结合。

公开(公告)号：CN100481379C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580017862.4

申请日：2005-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 纳格哈彦·哈加高帕兰 ,  梅彦·水克 ,  艾伯特·李 ,  安纳马莱·拉克师马纳 ,  夏立群 ,  崔振江

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/321 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886

Abstract: 本发明提供了在导电材料与电介质层之间沉积粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：放置具有位于衬底表面上的导电材料的衬底；使所述衬底暴露于还原化合物、硅基化合物或上述二者中；使所述衬底表面的至少一部分与所述还原化合物、所述硅基化合物或上述二者反应；并且，在不破坏真空的条件下沉积硅碳化物层。

公开(公告)号：CN101061256A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200580037552.9

申请日：2005-11-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 纳格哈彦·哈加高帕兰 ,  夏立群 ,  米歇拉·巴尔瑟努 ,  托马斯·诺瓦克 ,  哈恩简纳·沙赫 ,  许汇文 ,  查德·彼得森 ,  德里克·R·维蒂 ,  海澈姆·穆萨德

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31633

Abstract: 本发明公开了一种用于对沉积室进行干燥的方法，其中，在衬底上沉积有机硅材料之前，用不含碳的材料对室部件和壁进行致密的涂敷。可以在其间沉积含碳层。提供了一种使用低能量等离子体和低压来从内部室表面除去残余物的室清洁方法，该方法可以与干燥处理相结合。