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公开(公告)号：CN101978474B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN200980109820.1
申请日：2009-01-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡希克·贾纳基拉曼 , 托马斯·诺瓦克 , 胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 , 马克·A·福多尔 , 戴尔·R·杜波依斯 , 阿米特·班塞尔 , 穆罕默德·阿尤布 , 埃勒·Y·朱科 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 希姆·M·萨德
IPC: H01L21/205 , H01L21/26 , H01L21/30 , H05H1/34
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4412 , C23C16/458 , C23C16/4586 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J37/32541
Abstract: 本发明提供一种设备及方法，用于控制等离子体腔室中的等离子体放电的强度及分布。在一实施例中，成形电极嵌入基板支撑件中，以在所述腔室内提供具有径向及轴向分量的电场。在另一实施例中，用绝缘体将喷头组件的面板电极划分为多个区域，而能将不同电压施加至不同区域。此外，一或更多个电极可嵌入所述腔室侧壁中。
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公开(公告)号：CN1989587B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200580013096.4
申请日：2005-05-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 干纳施·巴拉苏布拉马尼恩 , 均·卡洛斯·若彻-阿勒圭瑞 , 汤姆·K·周 , 戴曼·雷 , 迪奈什·帕蒂 , 托马斯·诺瓦克 , 金博宏 , 海澈姆·穆萨德
IPC: H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/4405 , C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明公开了一种用于将气体分配到处理室的装置和方法。在一个实施例中，该装置包括具有多个贯通设置的孔的气体分配板和具有多个贯通设置的孔和多个设置在其中的馈通通道的阻滞板。第一气体路径将第一气体输送通过在阻滞板中的多个孔和气体分配板。旁路气体路径将第二气体输送通过阻滞板中的多个馈通通道并且在第二气体流经气体分配板之前输绕过阻滞板输送到区域中。
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公开(公告)号：CN107210188A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580068260.5
申请日：2015-12-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 爱德华·W·布迪亚图 , 马耶德·A·福阿德 , 拉尔夫·霍夫曼 , 托马斯·诺瓦克 , 托德·伊根 , 梅迪·瓦泽-艾拉瓦尼
IPC: H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/285 , H01L21/66 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67253 , G03F1/22 , G03F1/24 , H01L21/02631 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/2855 , H01L22/12 , H01L22/26
Abstract: 一种监控与沉积控制系统以及该系统的操作方法包含：沉积腔室，用于在基板上沉积材料层；传感器阵列，用于在沉积期间监控在材料层层厚度改变的材料层沉积；及处理单元，用于根据在沉积期间层厚度的改变来调整沉积参数。
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公开(公告)号：CN1989587A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580013096.4
申请日：2005-05-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 干纳施·巴拉苏布拉马尼恩 , 均·卡洛斯·若彻-阿勒圭瑞 , 汤姆·K·周 , 戴曼·雷 , 迪奈什·帕蒂 , 托马斯·诺瓦克 , 金博宏 , 海澈姆·穆萨德
IPC: H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/4405 , C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明公开了一种用于将气体分配到处理室的装置和方法。在一个实施例中，该装置包括具有多个贯通设置的孔的气体分配板和具有多个贯通设置的孔和多个设置在其中的馈通通道的阻滞板。第一气体路径将第一气体输送通过在阻滞板中的多个孔和气体分配板。旁路气体路径将第二气体输送通过阻滞板中的多个馈通通道并且在第二气体流经气体分配板之前输绕过阻滞板输送到区域中。
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公开(公告)号：CN107210188B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201580068260.5
申请日：2015-12-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 爱德华·W·布迪亚图 , 马耶德·A·福阿德 , 拉尔夫·霍夫曼 , 托马斯·诺瓦克 , 托德·伊根 , 梅迪·瓦泽-艾拉瓦尼
IPC: H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/285 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 一种监控与沉积控制系统以及该系统的操作方法包含：沉积腔室，用于在基板上沉积材料层；传感器阵列，用于在沉积期间监控在材料层层厚度改变的材料层沉积；及处理单元，用于根据在沉积期间层厚度的改变来调整沉积参数。
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公开(公告)号：CN101736316B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200910261086.2
申请日：2006-04-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 托马斯·诺瓦克 , 均·卡洛斯·若彻-阿勒圭瑞 , 安德则耶·卡祖巴 , 斯科特·A·亨德里克森 , 达斯廷·W·霍 , 萨恩吉夫·巴卢哈 , 汤姆·周 , 约瑟芬尼·常 , 海澈姆·穆萨德
CPC classification number: B08B7/0035 , C23C16/4405
Abstract: 本发明用于处理室的高效UV清洁，其提供一种紫外(UV)固化室，其能够对布置在衬底上的介质材料进行固化并对其进行原位清洁。串列处理室设有两个单独并相邻的处理区域，这些处理区域由盖子所覆盖的主体限定，盖子分别位于各个处理区域上方并具有对准的窗口。每个由耦合到盖子的壳体所覆盖的处理区域有一个或多个UV灯泡发射UV光，UV光被经过窗口导向位于处理区域内的衬底上。UV灯泡可以是发光二极管阵列或采用例如微波或射频源的灯泡。可以在固化处理期间以脉冲方式产生UV光。使用远程产生的氧基/臭氧和/或原位实现了室的清洁。使用灯阵列、衬底与灯头的相对运动以及灯反射器形状和/或位置的实时改变可以增强衬底照明的均匀性。
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公开(公告)号：CN1993495A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200580026251.6
申请日：2005-08-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/50
CPC classification number: H01L21/67103
Abstract: 本发明提供了一种用于在处理区域中的衬底上进行化学气相沉积的处理室的方法和装置，所述处理室包括气体盒和面板，所述气体盒具有包括气体入口通道的加热盖，所述面板连接到所述加热盖并设置成将气体从被加热的气体盒导向衬底处理区域。另外，还提供了一种向化学气相沉积室供给热量的方法，包括向气体盒的盖供给热量，并用从盖传递的热量对与气体盒相连的面板进行加热。
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公开(公告)号：CN102136411B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010534873.2
申请日：2007-03-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 , 托马斯·诺瓦克 , 戴尔·R·杜·博伊斯 , 萨尼夫·巴鲁贾 , 斯科特·A·亨德里克森 , 达斯廷·W·胡 , 安德兹·卡祖巴 , 汤姆·K·乔 , 希姆·M·萨德 , 恩德卡·O·米科蒂
IPC: H01L21/00 , H01L21/3105 , C23C16/56
CPC classification number: B05D3/067 , B29C71/04 , B29C2035/0827 , F26B3/28 , H01L21/67115
Abstract: 本发明的实施方式主要涉及一种用于固化沉积于衬底上的介电材料的紫外固化腔室以及利用紫外辐射固化介电材料的方法。根据本发明实施方式的一种衬底处理设备包括限定衬底处理区的主体；在所述衬底处理区内支撑衬底的衬底支架；与所述衬底支架间隔设置的紫外辐射灯，所述灯设计用于向位于所述衬底支架上的衬底传播紫外辐射；以及运转耦合的电机使所述紫外辐射灯或衬底支架的至少其中之一相对彼此旋转至少180度。所述衬底处理设备还可包括一个或多个反射器，其用于在衬底上产生紫外辐射的泛光图案，所述图案具有高亮度区域和低亮度区域，当旋转时，所述区域结合而产生基本均匀的辐射图案。在本发明中还公开了其他实施方式。
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公开(公告)号：CN102543798A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210024293.8
申请日：2008-07-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿希什·沙 , 加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 , 戴尔·R·杜波依斯 , 马克·A·福多尔 , 金义勇 , 秋·钱 , 卡希克·贾纳基拉曼 , 托马斯·诺瓦克 , 约瑟夫·C·沃纳 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 穆罕默德·阿尤布 , 阿米尔·阿拉-巴提亚 , 周建华
CPC classification number: H01L21/68 , Y10S414/136
Abstract: 本发明包含用以在基板边缘区域进行蚀刻的装置与方法。于一实施例中，该装置包含腔室主体、基板支撑件、等离子体产生器以及气体传送组件，该腔室主体具有处理容积；该基板支撑件设置在该处理容积内侧，且该基板支撑件具有基板支撑表面；该等离子体产生器连接至该腔室，将等离子体相的蚀刻剂提供至该基板支撑表面的周边区域；以及该气体传送组件连接至气体源，以在该基板支撑表面上产生径向气流，所述径向气流从该基板支撑表面的约中央区域朝向该基板支撑表面的周边区域。
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公开(公告)号：CN101689492B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200880024240.8
申请日：2008-07-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿希什·沙 , 加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 , 戴尔·R·杜波依斯 , 马克·A·福多尔 , 金义勇 , 秋·钱 , 卡希克·贾纳基拉曼 , 托马斯·诺瓦克 , 约瑟夫·C·沃纳 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 穆罕默德·阿尤布 , 阿米尔·阿拉-巴提亚 , 周建华
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/68 , Y10S414/136
Abstract: 本发明包含用以在基板边缘区域进行蚀刻的装置与方法。于一实施例中，该装置包含腔室主体、基板支撑件、等离子体产生器以及气体传送组件，该腔室主体具有处理容积；该基板支撑件设置在该处理容积内侧，且该基板支撑件具有基板支撑表面；该等离子体产生器连接至该腔室，将等离子体相的蚀刻剂提供至该基板支撑表面的周边区域；以及该气体传送组件连接至气体源，以在该基板支撑表面上产生径向气流，所述径向气流从该基板支撑表面的约中央区域朝向该基板支撑表面的周边区域。
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