公开(公告)号：CN101097853A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710126049.1

申请日：2007-06-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 瑞维克·巴哈迪亚 ,  夏立群 ,  查德·彼得森 ,  海彻姆·马萨德

IPC: H01L21/033

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829

Abstract: 本发明提供了形成掺杂碳的氮化硅硬掩膜的方法。所述氮化硅硬掩膜包括掺杂碳的氮化硅层和未掺杂的氮化硅层。本发明提供了由包含碳源化合物、硅源化合物和氮源的化合物在RF功率的存在下沉积的掺杂碳的氮化硅层。本发明还提供了对氮化硅层进行UV后处理以提供氮化硅硬掩膜的方法。所述掺杂碳的氮化硅层和经UV后处理的氮化硅层具有硬掩膜层所期望的湿法蚀刻速率和干法蚀刻速率。

公开(公告)号：CN100577865C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200580037552.9

申请日：2005-11-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 纳格哈彦·哈加高帕兰 ,  夏立群 ,  米歇拉·巴尔瑟努 ,  托马斯·诺瓦克 ,  哈恩简纳·沙赫 ,  许汇文 ,  查德·彼得森 ,  德里克·R·维蒂 ,  海澈姆·穆萨德

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31633

Abstract: 本发明公开了一种用于对沉积室进行干燥的方法，其中，在衬底上沉积有机硅材料之前，用不含碳的材料对室部件和壁进行致密的涂敷。可以在其间沉积含碳层。提供了一种使用低能量等离子体和低压来从内部室表面除去残余物的室清洁方法，该方法可以与干燥处理相结合。

公开(公告)号：CN100547732C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200710126049.1

申请日：2007-06-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 瑞维克·巴哈迪亚 ,  夏立群 ,  查德·彼得森 ,  海彻姆·马萨德

IPC: H01L21/033

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829

Abstract: 本发明提供了形成掺杂碳的氮化硅硬掩膜的方法。所述氮化硅硬掩膜包括掺杂碳的氮化硅层和未掺杂的氮化硅层。本发明提供了由包含碳源化合物、硅源化合物和氮源的化合物在RF功率的存在下沉积的掺杂碳的氮化硅层。本发明还提供了对氮化硅层进行UV后处理以提供氮化硅硬掩膜的方法。所述掺杂碳的氮化硅层和经UV后处理的氮化硅层具有硬掩膜层所期望的湿法蚀刻速率和干法蚀刻速率。

公开(公告)号：CN101061256A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200580037552.9

申请日：2005-11-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 纳格哈彦·哈加高帕兰 ,  夏立群 ,  米歇拉·巴尔瑟努 ,  托马斯·诺瓦克 ,  哈恩简纳·沙赫 ,  许汇文 ,  查德·彼得森 ,  德里克·R·维蒂 ,  海澈姆·穆萨德

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31633

Abstract: 本发明公开了一种用于对沉积室进行干燥的方法，其中，在衬底上沉积有机硅材料之前，用不含碳的材料对室部件和壁进行致密的涂敷。可以在其间沉积含碳层。提供了一种使用低能量等离子体和低压来从内部室表面除去残余物的室清洁方法，该方法可以与干燥处理相结合。