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公开(公告)号:CN100577865C
公开(公告)日:2010-01-06
申请号:CN200580037552.9
申请日:2005-11-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4404 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/02301 , H01L21/3121 , H01L21/31633
Abstract: 本发明公开了一种用于对沉积室进行干燥的方法,其中,在衬底上沉积有机硅材料之前,用不含碳的材料对室部件和壁进行致密的涂敷。可以在其间沉积含碳层。提供了一种使用低能量等离子体和低压来从内部室表面除去残余物的室清洁方法,该方法可以与干燥处理相结合。
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公开(公告)号:CN101061256A
公开(公告)日:2007-10-24
申请号:CN200580037552.9
申请日:2005-11-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4404 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/02301 , H01L21/3121 , H01L21/31633
Abstract: 本发明公开了一种用于对沉积室进行干燥的方法,其中,在衬底上沉积有机硅材料之前,用不含碳的材料对室部件和壁进行致密的涂敷。可以在其间沉积含碳层。提供了一种使用低能量等离子体和低压来从内部室表面除去残余物的室清洁方法,该方法可以与干燥处理相结合。
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