公开(公告)号：CN101388359A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810211824.8

申请日：2005-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 纳格哈彦·哈加高帕兰 ,  梅彦·水克 ,  艾伯特·李 ,  安纳马莱·拉克师马纳 ,  夏立群 ,  崔振江

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  H01L23/532 ,  C23C16/32

CPC classification number: H01L21/321 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886

Abstract: 本发明提供了在导电材料与电介质层之间沉积粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：放置具有位于衬底表面上的导电材料的衬底；使所述衬底暴露于还原化合物、硅基化合物或上述二者中；使所述衬底表面的至少一部分与所述还原化合物、所述硅基化合物或上述二者反应；并且，在不破坏真空的条件下沉积硅碳化物层。

公开(公告)号：CN1961418A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200580017862.4

申请日：2005-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 纳格哈彦·哈加高帕兰 ,  梅彦·水克 ,  艾伯特·李 ,  安纳马莱·拉克师马纳 ,  夏立群 ,  崔振江

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/321 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886

Abstract: 本发明提供了在导电材料与电介质层之间沉积粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：放置具有位于衬底表面上的导电材料的衬底；使所述衬底暴露于还原化合物、硅基化合物或上述二者中；使所述衬底表面的至少一部分与所述还原化合物、所述硅基化合物或上述二者反应；并且，在不破坏真空的条件下沉积硅碳化物层。

公开(公告)号：CN101388359B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200810211824.8

申请日：2005-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 纳格哈彦·哈加高帕兰 ,  梅彦·水克 ,  艾伯特·李 ,  安纳马莱·拉克师马纳 ,  夏立群 ,  崔振江

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  H01L23/532 ,  C23C16/32

CPC classification number: H01L21/321 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886

Abstract: 本发明提供了在导电材料与电介质层之间沉积粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：放置具有位于衬底表面上的导电材料的衬底；使所述衬底暴露于还原化合物、硅基化合物或上述二者中；使所述衬底表面的至少一部分与所述还原化合物、所述硅基化合物或上述二者反应；并且，在不破坏真空的条件下沉积硅碳化物层。

公开(公告)号：CN100481379C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580017862.4

申请日：2005-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 纳格哈彦·哈加高帕兰 ,  梅彦·水克 ,  艾伯特·李 ,  安纳马莱·拉克师马纳 ,  夏立群 ,  崔振江

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/321 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886

Abstract: 本发明提供了在导电材料与电介质层之间沉积粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：放置具有位于衬底表面上的导电材料的衬底；使所述衬底暴露于还原化合物、硅基化合物或上述二者中；使所述衬底表面的至少一部分与所述还原化合物、所述硅基化合物或上述二者反应；并且，在不破坏真空的条件下沉积硅碳化物层。