公开(公告)号：CN117916865A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280032771.1

申请日：2022-04-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王柏玮 ,  X·C·陈 ,  R·P·雷迪 ,  O·贾恩 ,  崔振江 ,  王安川

IPC: H01L21/3213 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27

Abstract: 蚀刻的示例性方法可包括使含氟前驱物及二次气体流动至半导体处理腔室的处理区域中。二次气体可为或包括氧气或氮气。含氟前驱物与二次气体的流动速率比可为大于或约1:1。所述方法可包括使基板与含氟前驱物及二次气体接触。基板可包括暴露的金属。基板可界定高深宽比特征。所述方法可包括蚀刻在高深宽比结构内的暴露的金属。

公开(公告)号：CN115803846A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202280004073.0

申请日：2022-02-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王柏玮 ,  O·贾恩 ,  R·P·雷迪 ,  X·陈 ,  崔振江 ,  王安川

IPC: H01J37/32

Abstract: 示例性蚀刻方法可包括使含氧前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域，同时激发等离子体以产生氧等离子体流出物。方法可包括使容纳在处理区域中的基板与氧等离子体流出物接触。基板可限定氮化钛的暴露区域。接触可在氮化钛上产生氧化表面。方法可包括将含卤素前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域，同时激发等离子体以产生卤素等离子体流出物。方法可包括使氮化钛上的氧化表面与卤素等离子体流出物接触。方法可包括去除氮化钛上的氧化表面。

公开(公告)号：CN115552574A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202280004116.5

申请日：2022-04-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王柏玮 ,  X·C·陈 ,  R·P·雷迪 ,  O·贾恩 ,  崔振江 ,  王安川

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/02

Abstract: 示例性蚀刻方法可包括使含氧前驱物流入半导体处理腔室的处理区域中。所述方法可包括：使容纳在处理区域中的基板与含氧前驱物接触。基板可包括暴露的钌区域，并且所述接触可产生四氧化钌。所述方法可包括：使四氧化钌从暴露的钌区域的表面汽化。可保留一定量的氧化的钌。所述方法可包括：使氧化的钌与含氢前驱物接触。所述方法可包括：去除氧化的钌。

公开(公告)号：CN117769756A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202280053607.9

申请日：2022-10-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王柏玮 ,  R·P·雷迪 ,  X·C·陈 ,  崔振江 ,  王安川

IPC: H01L21/3213 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27

Abstract: 示例性的蚀刻方法可以包括使含氟前驱物和辅助气体流入半导体处理腔室的处理区域中。辅助气体可以是或包括氧气或氮气。含氟前驱物与辅助气体的流速比可大于或约为1:1。该方法可包括使基板与含氟前驱物和辅助气体接触。基板可以包括经暴露金属。基板可限定高深宽比结构。该方法可以包括蚀刻高深宽比结构内的经暴露金属。

公开(公告)号：CN117597769A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202280047388.3

申请日：2022-06-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王柏玮 ,  X·C·陈 ,  R·P·雷迪 ,  O·贾恩 ,  崔振江 ,  王安川

IPC: H01L21/3213

Abstract: 示例性蚀刻方法可包括将含氧前驱物流入半导体处理腔室的处理区域。方法可包括使容纳在处理区域中的基板与含氧前驱物接触。基板可包括过渡金属氮化物的暴露区域和金属的暴露区域。所述接触可形成过渡金属氮化物的氧化部分和金属的氧化部分。方法可包括形成含氟前驱物和含氢前驱物的等离子体以产生含氟等离子体流出物。方法可包括移除过渡金属氮化物的氧化部分以暴露过渡金属氮化物的未氧化部分。方法可包括形成含氯前驱物的等离子体以产生含氯等离子体流出物。方法可包括移除过渡金属氮化物的未氧化部分。

公开(公告)号：CN119256392A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202280096492.1

申请日：2022-10-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小林·C·陈 ,  王柏玮 ,  R·P·雷迪 ,  徐万兴 ,  崔振江 ,  王安川

IPC: H01L21/3213 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括：将含氧前驱物提供至半导体处理腔室，基板可以定位在所述半导体处理腔室处。基板可包括沟槽和含钼金属区域，所述沟槽形成于两个柱体间，所述含钼金属区域在形成于所述柱体中的至少一个柱体中的多个凹槽中。所述含钼金属区域中的至少两个含钼金属区域可由含钼第一衬垫连接，所述含钼第一衬垫形成于沟槽的侧壁的至少一部分上。所述方法可包括：形成含氧前驱物的等离子体。所述方法可包括：使含钼第一衬垫接触含氧前驱物的等离子体流出物，从而形成钼的经氧化部分。所述方法可包括：提供卤化物前驱物。所述方法可包括：使钼的经氧化部分接触卤化物前驱物的等离子体流出物，从而从沟槽的侧壁去除钼的经氧化部分。

公开(公告)号：CN117678057A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202280048755.1

申请日：2022-06-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王柏玮 ,  R·P·雷迪 ,  X·C·陈 ,  崔振江 ,  王安川

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 示例性蚀刻方法可包括对容纳在半导体处理腔室的处理区域中的基板上的金属氧化物层的暴露表面进行改性，以产生金属氧化物的改性部分。所述方法可包括将金属氧化物的改性部分与含氟前驱物接触。所述接触可产生金属氟氧化物材料。所述方法可包括将蚀刻剂前驱物流入处理区域。所述方法可包括使金属氟氧化物材料与蚀刻剂前驱物接触。所述方法可包括移除金属氟氧化物材料。