公开(公告)号：CN103959443A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280059387.7

申请日：2012-11-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 安娜马莱·雷克什马南 ,  保尔·F·马 ,  张梅 ,  珍妮弗·山

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/265 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L23/5384 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述掺杂的TaN薄膜以及用于提供掺杂的TaN薄膜的方法。用Ru、Cu、Co、Mn、Al、Mg、Cr、Nb、Ti和/或V掺杂TaN薄膜得以增强TaN薄膜的铜阻挡性质。还描述提供薄膜的方法，该薄膜具有第一层和第二层，该第一层包含掺杂的TaN，该第二层包含Ru和Co中之一或更多者，且选择性地掺杂该第二层。

公开(公告)号：CN102543850A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110375127.8

申请日：2011-11-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 安娜马莱·雷克什马南 ,  崔振江 ,  梅休尔·内克 ,  西伊-恩·潘 ,  珍妮弗·山 ,  保尔·F·马

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3105 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明提供了一种方法，用于在消耗低k膜中碳的工艺之后将碳重新加入到该膜中。此外，还描述了一种用于补偿被消耗碳并用氮化钽覆盖的方法。

公开(公告)号：CN103959443B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201280059387.7

申请日：2012-11-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 安娜马莱·雷克什马南 ,  保尔·F·马 ,  张梅 ,  珍妮弗·山

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/265 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L23/5384 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 描述掺杂的TaN薄膜以及用于提供掺杂的TaN薄膜的方法。用Ru、Cu、Co、Mn、Al、Mg、Cr、Nb、Ti和/或V掺杂TaN薄膜得以增强TaN薄膜的铜阻挡性质。还描述提供薄膜的方法，该薄膜具有第一层和第二层，该第一层包含掺杂的TaN，该第二层包含Ru和Co中之一或更多者，且选择性地掺杂该第二层。