公开(公告)号：CN1938833A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580010028.2

申请日：2005-03-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 福兰斯马尔·斯楚弥特 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  德里克·R·维蒂 ,  海澈姆·穆萨德 ,  安相和 ,  莱斯特·A·德库兹 ,  卡勒德·A·埃彻尔 ,  崔振江

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3105 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76832 ,  H01L2221/1047

Abstract: 通过形成比其上方的多孔低k膜碳含量更低、氧化硅含量更高的中间层，改善了多孔低k膜与下方的阻挡层的粘附。粘附层可以单独或者组合使用多种技术来形成。在一个方案中，紧接低k材料的沉积之前，可以通过引入富氧化气体，诸如O2/CO2等，来氧化Si前驱体，形成粘附层。在另一个方案中，在低k膜沉积之前，去除诸如α－萜品烯、异丙基苯或者其它非含氧有机物之类的热不稳定化学品。在另一个方案中，诸如引入非含硅组分的方式的硬件或处理参数可以被修改，以使得在低k膜沉积之前可以形成氧化物界面。在另一个方案中，诸如剂量和能量之类的电子束处理参数或者热退火的使用，可以被控制来去除阻挡材料和低k膜中间的界面处的碳物质。在另一个方案中，在低k沉积之前可以引入预处理等离子体，以增强阻挡界面的加热，使得在低k沉积气体被引入并且沉积低k膜时形成薄的氧化物界面。

公开(公告)号：CN1938833B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200580010028.2

申请日：2005-03-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 福兰斯马尔·斯楚弥特 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  德里克·R·维蒂 ,  海澈姆·穆萨德 ,  安相和 ,  莱斯特·A·德库兹 ,  卡勒德·A·埃彻尔 ,  崔振江

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3105 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76832 ,  H01L2221/1047

Abstract: 通过形成比其上方的多孔低k膜碳含量更低、氧化硅含量更高的中间层，改善了多孔低k膜与下方的阻挡层的粘附。粘附层可以单独或者组合使用多种技术来形成。在一个方案中，紧接低k材料的沉积之前，可以通过引入富氧化气体，诸如O2/CO2等，来氧化Si前驱体，形成粘附层。在另一个方案中，在低k膜沉积之前，去除诸如α-萜品烯、异丙基苯或者其它非含氧有机物之类的热不稳定化学品。在另一个方案中，诸如引入非含硅组分的方式的硬件或处理参数可以被修改，以使得在低k膜沉积之前可以形成氧化物界面。在另一个方案中，诸如剂量和能量之类的电子束处理参数或者热退火的使用，可以被控制来去除阻挡材料和低k膜中间的界面处的碳物质。在另一个方案中，在低k沉积之前可以引入预处理等离子体，以增强阻挡界面的加热，使得在低k沉积气体被引入并且沉积低k膜时形成薄的氧化物界面。

公开(公告)号：CN1957108A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580010033.3

申请日：2005-03-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 福兰斯马尔·斯楚弥特 ,  郑毅 ,  亦康苏 ,  安相和 ,  莱斯特·A·德库兹 ,  达斯廷·W·霍 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  夏立群 ,  德里克·R·维蒂 ,  海澈姆·穆萨德

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/76825 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047 ,  Y10T428/249978

Abstract: 本发明的实施方式涉及用于化学气相沉积的低k材料的多阶段固化工艺。在特定的实施方式中，电子束辐射和热暴露步骤的组合可被用于控制结合在膜中的成孔剂的选择性排气，从而形成纳米孔。根据一种具体实施方式，通过首先施加热能然后施加电子束形式的辐射，可以对得自含硅组分与具有不稳定基团的不含硅组分之间的反应的低k层进行固化。