发明公开
CN1957108A 低K纳米多孔膜的多阶段固化方法
无效 - 驳回
- 专利标题： 低K纳米多孔膜的多阶段固化方法
- 专利标题（英）： Multi-stage curing method of low k nano-porous films
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申请号： CN200580010033.3申请日： 2005-03-24
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公开(公告)号： CN1957108A公开(公告)日： 2007-05-02
- 发明人: 福兰斯马尔·斯楚弥特 , 郑毅 , 亦康苏 , 安相和 , 莱斯特·A·德库兹 , 达斯廷·W·霍 , 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 夏立群 , 德里克·R·维蒂 , 海澈姆·穆萨德
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- 代理商 肖善强
- 优先权： 60/558,366 2004.03.31 US
- 国际申请： PCT/US2005/010238 2005.03.24
- 国际公布： WO2005/098085 EN 2005.10.20
- 进入国家日期： 2006-09-28
- 主分类号： C23C16/40
- IPC分类号： C23C16/40 ; C23C16/50 ; C23C16/56 ; H01L21/316
摘要：
本发明的实施方式涉及用于化学气相沉积的低k材料的多阶段固化工艺。在特定的实施方式中，电子束辐射和热暴露步骤的组合可被用于控制结合在膜中的成孔剂的选择性排气，从而形成纳米孔。根据一种具体实施方式，通过首先施加热能然后施加电子束形式的辐射，可以对得自含硅组分与具有不稳定基团的不含硅组分之间的反应的低k层进行固化。
IPC分类:
