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公开(公告)号：CN1957108A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580010033.3
申请日：2005-03-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 福兰斯马尔·斯楚弥特 , 郑毅 , 亦康苏 , 安相和 , 莱斯特·A·德库兹 , 达斯廷·W·霍 , 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 夏立群 , 德里克·R·维蒂 , 海澈姆·穆萨德
IPC: C23C16/40 , C23C16/50 , C23C16/56 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/76825 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02208 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02351 , H01L21/02362 , H01L21/3105 , H01L21/3121 , H01L21/31695 , H01L21/76811 , H01L21/76813 , H01L21/7682 , H01L2221/1047 , Y10T428/249978
Abstract: 本发明的实施方式涉及用于化学气相沉积的低k材料的多阶段固化工艺。在特定的实施方式中，电子束辐射和热暴露步骤的组合可被用于控制结合在膜中的成孔剂的选择性排气，从而形成纳米孔。根据一种具体实施方式，通过首先施加热能然后施加电子束形式的辐射，可以对得自含硅组分与具有不稳定基团的不含硅组分之间的反应的低k层进行固化。
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公开(公告)号：CN1662676A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03814617.7
申请日：2003-05-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 费尔哈德·D·穆加达姆 , 赵军 , 蒂莫西·韦德曼 , 里克·J·罗伯茨 , 夏立群 , 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 文·H·朱 , 黄楚范 , 李丽华 , 埃利·Y·易 , 郑毅 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 埃里克·霍拉 , 亦康苏 , 源松文 , 莱斯特·A·德克鲁埃 , 特洛伊·金 , 戴安·苏吉阿托 , 彼得·韦曼·李 , 希沙姆·穆萨德 , 梅利沙·M·塔姆
IPC: C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/02126 , B05D1/60 , B05D3/068 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02351 , H01L21/31058 , H01L21/3122 , H01L21/3125
Abstract: 一种在衬底上沉积低介电常数膜的方法。该方法包括在化学气相沉积室中沉积包含硅、碳、氧和氢的低介电常数膜。该方法还包括在足以增加所述低介电常数膜的硬度的条件下将所述低介电常数膜暴露于电子束中。
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公开(公告)号：CN100400707C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN03814617.7
申请日：2003-05-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 费尔哈德·D·穆加达姆 , 赵军 , 蒂莫西·韦德曼 , 里克·J·罗伯茨 , 夏立群 , 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 文·H·朱 , 黄楚范 , 李丽华 , 埃利·Y·易 , 郑毅 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 埃里克·霍拉 , 亦康苏 , 源松文 , 莱斯特·A·德克鲁埃 , 特洛伊·金 , 戴安·苏吉阿托 , 彼得·韦曼·李 , 希沙姆·穆萨德 , 梅利沙·M·塔姆
IPC: C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/02126 , B05D1/60 , B05D3/068 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02351 , H01L21/31058 , H01L21/3122 , H01L21/3125
Abstract: 一种在衬底上沉积低介电常数膜的方法。该方法包括在化学气相沉积室中沉积包含硅、碳、氧和氢的低介电常数膜。该方法还包括在足以增加所述低介电常数膜的硬度的条件下将所述低介电常数膜暴露于电子束中。
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