公开(公告)号：CN1662676A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN03814617.7

申请日：2003-05-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 费尔哈德·D·穆加达姆 ,  赵军 ,  蒂莫西·韦德曼 ,  里克·J·罗伯茨 ,  夏立群 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  文·H·朱 ,  黄楚范 ,  李丽华 ,  埃利·Y·易 ,  郑毅 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  埃里克·霍拉 ,  亦康苏 ,  源松文 ,  莱斯特·A·德克鲁埃 ,  特洛伊·金 ,  戴安·苏吉阿托 ,  彼得·韦曼·李 ,  希沙姆·穆萨德 ,  梅利沙·M·塔姆

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/02126 ,  B05D1/60 ,  B05D3/068 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3125

Abstract: 一种在衬底上沉积低介电常数膜的方法。该方法包括在化学气相沉积室中沉积包含硅、碳、氧和氢的低介电常数膜。该方法还包括在足以增加所述低介电常数膜的硬度的条件下将所述低介电常数膜暴露于电子束中。

公开(公告)号：CN100400707C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN03814617.7

申请日：2003-05-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 费尔哈德·D·穆加达姆 ,  赵军 ,  蒂莫西·韦德曼 ,  里克·J·罗伯茨 ,  夏立群 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  文·H·朱 ,  黄楚范 ,  李丽华 ,  埃利·Y·易 ,  郑毅 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  埃里克·霍拉 ,  亦康苏 ,  源松文 ,  莱斯特·A·德克鲁埃 ,  特洛伊·金 ,  戴安·苏吉阿托 ,  彼得·韦曼·李 ,  希沙姆·穆萨德 ,  梅利沙·M·塔姆

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/02126 ,  B05D1/60 ,  B05D3/068 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3125

Abstract: 一种在衬底上沉积低介电常数膜的方法。该方法包括在化学气相沉积室中沉积包含硅、碳、氧和氢的低介电常数膜。该方法还包括在足以增加所述低介电常数膜的硬度的条件下将所述低介电常数膜暴露于电子束中。