公开(公告)号：CN101107383A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200680002599.6

申请日：2006-01-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 迪奈什·帕德海 ,  干纳施·巴拉苏布拉马尼恩 ,  安纳马莱·拉克师马纳 ,  崔振江 ,  均·卡洛斯·若彻-阿勒圭瑞 ,  金博宏 ,  海澈姆·穆萨德 ,  史蒂文·雷特尔 ,  福兰斯马尔·斯楚弥特

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/02

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/029 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274

Abstract: 本发明提供了一种在不存在等离子体电弧放电的条件下沉积有机硅电介质层的方法，所述有机硅电介质层对设置在单个处理室中的下方衬底具有高粘附强度。该方法包括：将衬底定位在具有通电电极的处理室中；将界面气体混合物流入所述处理室，所述界面气体混合物包含一种或更多种有机硅化合物和一种或更多种氧化气体；通过改变工艺参数，将氧化硅层沉积在所述衬底上，其中所述通电电极的DC偏压的变化小于60伏特。

公开(公告)号：CN100594259C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200680002599.6

申请日：2006-01-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 迪奈什·帕德海 ,  干纳施·巴拉苏布拉马尼恩 ,  安纳马莱·拉克师马纳 ,  崔振江 ,  均·卡洛斯·若彻-阿勒圭瑞 ,  金博宏 ,  海澈姆·穆萨德 ,  史蒂文·雷特尔 ,  福兰斯马尔·斯楚弥特

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/02

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/029 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274

Abstract: 本发明提供了一种在不存在等离子体电弧放电的条件下沉积有机硅电介质层的方法，所述有机硅电介质层对设置在单个处理室中的下方衬底具有高粘附强度。该方法包括：将衬底定位在具有通电电极的处理室中；将界面气体混合物流入所述处理室，所述界面气体混合物包含一种或更多种有机硅化合物和一种或更多种氧化气体；通过改变工艺参数，将氧化硅层沉积在所述衬底上，其中所述通电电极的DC偏压的变化小于60伏特。

公开(公告)号：CN1930320A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200580006997.0

申请日：2005-02-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马丁·杰伊·瑟默恩斯 ,  温迪·H·叶 ,  苏达哈·S·R·拉蒂 ,  迪奈什·帕德海 ,  安迪(信朝)·路安 ,  萨姆-叶·贝蒂·唐 ,  普里亚·库尔卡尼 ,  维斯瓦思瓦伦·西瓦诺马克斯南 ,  金博宏 ,  海澈姆·穆萨德 ,  玉香·梅·王 ,  迈克尔·丘·宽

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明提供了用于沉积无定型碳材料的方法。在一个方面中，本发明提供一种处理衬底的方法，该方法包括：在处理室中放置所述衬底；将处理气体引入所述处理室，其中，所述处理气体包括载气、氢气和一种或多种烃化合物或其衍生物；通过从双频RF源施加功率产生所述处理气体的等离子体；以及在所述衬底上沉积无定型碳层。