公开(公告)号：CN1930322A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200580007174.X

申请日：2005-03-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 索沃·森 ,  马克·A·弗德 ,  维斯瓦思瓦伦·西瓦诺马克斯南 ,  刘军庭

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/509

Abstract: 根据本发明的实施例涉及可以单独或组合使用以减少或消除在半导体工件(882)的斜壁上沉积材料的各种技术。在一种方法中，遮蔽环(880)位于衬底(882)边缘的上方，以阻挡气体流至斜壁区域。遮蔽环的边缘(880a)的几何特征将气流向晶片引导，以便在遮蔽边缘的同时保持沿晶片的厚度均匀性。在另一个方法中，衬底加热器/支撑被构造成使净化气体流动至被支撑的衬底的边缘。这些净化气体阻挡处理气体到达衬底边缘以及在斜壁区域上沉积材料。

公开(公告)号：CN1930320A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200580006997.0

申请日：2005-02-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马丁·杰伊·瑟默恩斯 ,  温迪·H·叶 ,  苏达哈·S·R·拉蒂 ,  迪奈什·帕德海 ,  安迪(信朝)·路安 ,  萨姆-叶·贝蒂·唐 ,  普里亚·库尔卡尼 ,  维斯瓦思瓦伦·西瓦诺马克斯南 ,  金博宏 ,  海澈姆·穆萨德 ,  玉香·梅·王 ,  迈克尔·丘·宽

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明提供了用于沉积无定型碳材料的方法。在一个方面中，本发明提供一种处理衬底的方法，该方法包括：在处理室中放置所述衬底；将处理气体引入所述处理室，其中，所述处理气体包括载气、氢气和一种或多种烃化合物或其衍生物；通过从双频RF源施加功率产生所述处理气体的等离子体；以及在所述衬底上沉积无定型碳层。

公开(公告)号：CN1867694B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200480029701.2

申请日：2004-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马克·A·弗德 ,  索菲娅·M·贝拉特吉 ,  索沃·森 ,  维斯瓦思瓦伦·西瓦诺马克斯南 ,  皮特·韦曼·李 ,  马里奥·大卫·西尔韦提

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/458 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4585 ,  C23C16/46 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明提供了一种衬底加热器组件，用于在处理期间支撑预定标准直径的衬底。在一个实施例中，所述衬底加热器组件包括主体，其具有上表面、下表面以及嵌入加热器元件。衬底支撑表面形成在所述主体的所述上表面中，并界定了衬底接收袋的一部分。环形壁垂直于所述上表面取向，并具有所述衬底的厚度的至少一半的长度。所述壁限定了所述衬底接收袋的外周界，并具有比所述预定衬底直径大少于约0.5mm的直径。

公开(公告)号：CN1867694A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480029701.2

申请日：2004-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马克·A·弗德 ,  索菲娅·M·贝拉特吉 ,  索沃·森 ,  维斯瓦思瓦伦·西瓦诺马克斯南 ,  皮特·韦曼·李 ,  马里奥·大卫·西尔韦提

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/458 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4585 ,  C23C16/46 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明提供了一种衬底加热器组件，用于在处理期间支撑预定标准直径的衬底。在一个实施例中，所述衬底加热器组件包括主体，其具有上表面、下表面以及嵌入加热器元件。衬底支撑表面形成在所述主体的所述上表面中，并界定了衬底接收袋的一部分。环形壁垂直于所述上表面取向，并具有所述衬底的厚度的至少一半的长度。所述壁限定了所述衬底接收袋的外周界，并具有比所述预定衬底直径大少于约0.5mm的直径。