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公开(公告)号：CN118339639A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280078235.5
申请日：2022-11-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 刘炜 , 弗雷德里克·费什伯恩 , 刘海玲
IPC: H01L21/3215 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01J37/32
Abstract: 描述半导体器件及形成半导体器件的方法。公开形成金属氮化硅膜的方法。本公开内容的一些实施方式提供了使用氨等离子体处理金属硅化物或金属膜以形成金属氮化硅膜的工艺。氨等离子体处理产生NH*自由基，而NH*自由基扩散通过金属硅化物并形成金属氮化硅膜，所述金属氮化硅膜实质上不含氮化硅(SiN)。相较于由热工艺或使用氮等离子体暴露的等离子体工艺沉积的膜而言，所述金属氮化硅膜具有改良的电阻。
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