公开(公告)号：CN111244093A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201911122441.8

申请日：2019-11-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 康宋坤 ,  李智勇 ,  柳尚澔 ,  陈世忠 ,  杰弗里·W·安西斯

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 描述了存储器装置和形成存储器装置的方法。所述存储器装置包括两个功函数金属层，其中一个功函数层具有比另一个功函数层低的功函数。低功函数层可以减少栅极诱发的漏极泄漏电流损耗。还描述了形成存储器装置的方法。

公开(公告)号：CN112789724A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201980064979.X

申请日：2019-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 普里亚达希·潘达 ,  雷建新 ,  侯文婷 ,  米哈埃拉·巴尔西努 ,  李宁 ,  桑杰·纳塔拉扬 ,  李智勇 ,  黄锡硕 ,  佐佐木信之 ,  康宋坤

IPC: H01L27/108

Abstract: 本案描述存储器元件及形成存储器元件的方法。存储器元件包括具有至少一个膜堆叠的基板。膜堆叠包括在基板上的多晶硅层；在多晶硅层上的位线金属层；在位线金属层上的覆盖层；及在覆盖层上的硬遮罩。一些实施例的存储器元件包括在多晶硅层上的可选阻障金属层，且位线金属层在阻障金属层上。本案描述形成电子元件的方法，其中经由膜堆叠的膜转印一或更多个图案，以提供存储器元件的位线。

公开(公告)号：CN112789724B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201980064979.X

申请日：2019-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 普里亚达希·潘达 ,  雷建新 ,  侯文婷 ,  米哈埃拉·巴尔西努 ,  李宁 ,  桑杰·纳塔拉扬 ,  李智勇 ,  黄锡硕 ,  佐佐木信之 ,  康宋坤

IPC: H10B12/00

Abstract: 本案描述存储器元件及形成存储器元件的方法。存储器元件包括具有至少一个膜堆叠的基板。膜堆叠包括在基板上的多晶硅层；在多晶硅层上的位线金属层；在位线金属层上的覆盖层；及在覆盖层上的硬遮罩。一些实施例的存储器元件包括在多晶硅层上的可选阻障金属层，且位线金属层在阻障金属层上。本案描述形成电子元件的方法，其中经由膜堆叠的膜转印一或更多个图案，以提供存储器元件的位线。