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公开(公告)号：CN105164791A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201480022298.4
申请日：2014-06-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/283
CPC classification number: C23C16/08 , C23C16/18 , C23C16/45553
Abstract: 提供沉积膜的方法，所述方法包含下列步骤：将基板的至少一部分暴露于金属前驱物，以于基板上提供第一金属，将基板的至少一部分暴露于有机金属还原剂，以于基板上沉积第二金属，以形成第一金属与第二金属的混合物或合金。可依序或同时暴露于金属前驱物及有机金属还原剂。
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公开(公告)号：CN110832625B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201880043565.4
申请日：2018-05-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/3065
Abstract: 一种选择性蚀刻包括多种金属氧化物的基板表面的工艺包括：将该基板表面暴露于卤化剂，且然后将该基板表面暴露于配位基转移剂。所述多种金属氧化物中的金属的蚀刻速率实质上一致。
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公开(公告)号：CN109791913A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780059692.9
申请日：2017-09-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 描述多种处理方法，所述方法包括：透过掩模选择性正交地生长第一材料，而提供扩展的第一材料。可移除该掩模，而留下从该第一材料的表面正交延伸的该扩展的第一材料。进一步的处理可产生自对准通孔。
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公开(公告)号：CN104718314B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201380054227.8
申请日：2013-10-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戴维·汤普森 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 吕新亮 , 唐薇 , 周静 , 赛沙德利·甘古利 , 杰弗里·W·安西斯 , 阿蒂夫·努里 , 法鲁克·京格尔 , 吴典晔 , 张镁 , 陈世忠
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45534
Abstract: 所提供的是包括铝、碳和金属的膜，其中铝的元素含量是大于约16％的量，且碳含量小于约50％。还提供了沉积所述膜的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103946957A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280054152.9
申请日：2012-11-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , C23C16/22
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/06 , C23C16/45525 , H01L21/28562 , H01L21/76841
Abstract: 本发明提供沉积纯金属和铝合金金属薄膜的方法。某些方法包括使基板表面与第一前驱物和第二前驱物接触，该第一前驱物包含铝前驱物，该铝前驱物选自二甲基铝氢化物、配位于胺的铝烷和具有由式(I)或(II)表示的结构的化合物，其中R为C1-C6烷基，而该第二前驱物包含金属卤化物。其他的方法涉及使基板按顺序地曝露于第一前驱物和第二前驱物，该第一前驱物包含如上所述的铝前驱物，而该第二前驱物包含Ti(NR'2)4或Ta(NR'2)5，其中R'为烷基、烯基、炔基、酮基或醛基。
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公开(公告)号：CN112789706A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201980064571.2
申请日：2019-08-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 兹描述通过将基板表面暴露于卤化物前驱物和铝反应物来沉积金属碳化物膜的方法。卤化物前驱物包含通式(I)MXyRn的化合物，其中M为金属，X为选自Cl、Br、F或I的卤素，y为从1至6，R选自烷基、CO及环戊二烯基，且n为从0至6。铝反应物包含通式(II)Al(CH2AR1R2R3)3的化合物，其中A为C、Si或Ge，各R1、R2及R3独立地为烷基或实质上不包含β‑氢。
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公开(公告)号：CN111244093A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911122441.8
申请日：2019-11-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 描述了存储器装置和形成存储器装置的方法。所述存储器装置包括两个功函数金属层，其中一个功函数层具有比另一个功函数层低的功函数。低功函数层可以减少栅极诱发的漏极泄漏电流损耗。还描述了形成存储器装置的方法。
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公开(公告)号：CN109844906A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780060395.6
申请日：2017-01-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 大卫·纳普 , 西蒙·黄 , 杰弗里·W·安西斯 , 菲利普·艾伦·克劳斯 , 大卫·汤普森
IPC: H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 各个实施方式包括处理硬掩模的方法，所述方法包括形成掺混碳硬掩模，所述掺混碳硬掩模覆于下层上方。在一实施方式中，所述掺混碳硬掩模以金属碳填充物掺混。所述实施方式进一步包括图案化所述掺混碳硬掩模并且将所述掺混碳硬掩模的图案转移到所述下层中。根据一实施方式，所述方法可进一步包括：从所述掺混碳硬掩模移除所述金属碳填充物的金属成分，以形成多孔碳硬掩模。之后，可移除所述多孔硬掩模。在一实施方式中，所述金属碳填充物的金属成分可包括：使处理气体流进腔室，以使所述金属碳填充物的金属成分挥发。
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公开(公告)号：CN103946957B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280054152.9
申请日：2012-11-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/22
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/06 , C23C16/45525 , H01L21/28562 , H01L21/76841
Abstract: 酮基或醛基。(56)对比文件US 2007045856 A1,2007.03.01,US 2008003838 A1,2008.01.03,US 2008057344 A1,2008.03.06,TW 200823311 A,2008.06.01,
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