公开(公告)号：CN103946957A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280054152.9

申请日：2012-11-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 欣亮·卢 ,  戴维·汤普森 ,  杰弗里·W·安西斯 ,  梅·张 ,  赛沙德利·甘古利 ,  唐伟 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  阿蒂夫·努里

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/22

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841

Abstract: 本发明提供沉积纯金属和铝合金金属薄膜的方法。某些方法包括使基板表面与第一前驱物和第二前驱物接触，该第一前驱物包含铝前驱物，该铝前驱物选自二甲基铝氢化物、配位于胺的铝烷和具有由式(I)或(II)表示的结构的化合物，其中R为C1-C6烷基，而该第二前驱物包含金属卤化物。其他的方法涉及使基板按顺序地曝露于第一前驱物和第二前驱物，该第一前驱物包含如上所述的铝前驱物，而该第二前驱物包含Ti(NR'2)4或Ta(NR'2)5，其中R'为烷基、烯基、炔基、酮基或醛基。

公开(公告)号：CN103946957B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280054152.9

申请日：2012-11-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 欣亮·卢 ,  戴维·汤普森 ,  杰弗里·W·安西斯 ,  梅·张 ,  赛沙德利·甘古利 ,  唐伟 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  阿蒂夫·努里

IPC: C23C16/22

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841

Abstract: 酮基或醛基。(56)对比文件US 2007045856 A1,2007.03.01,US 2008003838 A1,2008.01.03,US 2008057344 A1,2008.03.06,TW 200823311 A,2008.06.01,

公开(公告)号：CN102144281B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN200980134897.4

申请日：2009-08-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 保罗·F·马 ,  约瑟夫·F·奥布赫恩 ,  梅·张 ,  史蒂文·H·金 ,  吴典晔 ,  诺曼·M·纳卡西玛 ,  马克·约翰逊 ,  罗亚·帕拉科德迪

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45582 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明的实施例提供一种用于在诸如原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)的气相沉积工艺期间，处理工艺腔室的内表面和在所述表面上沉积材料的方法。在一个实施例中，在预处理工艺期间，该工艺腔室的内表面和该基板可暴露于试剂，诸如氢化配体化合物。该氢化配体化合物可为与自后续沉积工艺期间使用的金属有机前驱物所形成的自由配体相同的配体。该自由配体通常在所述沉积工艺期间通过氢化或热解来形成。在一个实例中，在实施所述气相沉积工艺前，该工艺腔室和基板在预处理工艺期间暴露于烷基胺化合物(例如，二甲胺)；该气相沉积工艺使用金属有机化学前驱物，所述前驱物具有烷胺配体，诸如五(二甲胺)钽(PDMAT)。