公开(公告)号：CN102144281B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN200980134897.4

申请日：2009-08-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 保罗·F·马 ,  约瑟夫·F·奥布赫恩 ,  梅·张 ,  史蒂文·H·金 ,  吴典晔 ,  诺曼·M·纳卡西玛 ,  马克·约翰逊 ,  罗亚·帕拉科德迪

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45582 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明的实施例提供一种用于在诸如原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)的气相沉积工艺期间，处理工艺腔室的内表面和在所述表面上沉积材料的方法。在一个实施例中，在预处理工艺期间，该工艺腔室的内表面和该基板可暴露于试剂，诸如氢化配体化合物。该氢化配体化合物可为与自后续沉积工艺期间使用的金属有机前驱物所形成的自由配体相同的配体。该自由配体通常在所述沉积工艺期间通过氢化或热解来形成。在一个实例中，在实施所述气相沉积工艺前，该工艺腔室和基板在预处理工艺期间暴露于烷基胺化合物(例如，二甲胺)；该气相沉积工艺使用金属有机化学前驱物，所述前驱物具有烷胺配体，诸如五(二甲胺)钽(PDMAT)。