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公开(公告)号:CN103946957A
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201280054152.9
申请日:2012-11-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , C23C16/22
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/06 , C23C16/45525 , H01L21/28562 , H01L21/76841
Abstract: 本发明提供沉积纯金属和铝合金金属薄膜的方法。某些方法包括使基板表面与第一前驱物和第二前驱物接触,该第一前驱物包含铝前驱物,该铝前驱物选自二甲基铝氢化物、配位于胺的铝烷和具有由式(I)或(II)表示的结构的化合物,其中R为C1-C6烷基,而该第二前驱物包含金属卤化物。其他的方法涉及使基板按顺序地曝露于第一前驱物和第二前驱物,该第一前驱物包含如上所述的铝前驱物,而该第二前驱物包含Ti(NR'2)4或Ta(NR'2)5,其中R'为烷基、烯基、炔基、酮基或醛基。
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公开(公告)号:CN103946957B
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201280054152.9
申请日:2012-11-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/22
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/06 , C23C16/45525 , H01L21/28562 , H01L21/76841
Abstract: 酮基或醛基。(56)对比文件US 2007045856 A1,2007.03.01,US 2008003838 A1,2008.01.03,US 2008057344 A1,2008.03.06,TW 200823311 A,2008.06.01,
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