公开(公告)号：CN101903984B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200880121936.2

申请日：2008-12-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨海春 ,  吕新亮 ,  高建德 ,  张梅

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明描述的实施例提供用于去除基板上的自然氧化物，同时将下方的基板表面予以钝化的方法。在一实施例中，提供一种方法，所述方法包括：将包含氧化物层的基板放置于处理腔室内；调整所述基板的第一温度到约80℃或更小；在所述处理腔室内由气体混合物产生清洁等离子体，其中所述气体混合物包含氨和三氟化氮且NH3/NF3摩尔比例为约10或更高；及使所述清洁等离子体凝结到所述基板上。在等离子体清洁工艺期间，部分地由自然氧化物形成含有六氟硅酸铵的薄膜。所述方法还包括在所述处理腔室内加热所述基板到约100℃或更高的第二温度，同时从所述基板去除所述薄膜且在所述基板上形成钝化表面。

公开(公告)号：CN110678972B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201880029923.6

申请日：2018-06-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  巫勇 ,  秦嘉政 ,  吕新亮 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  段子青 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/02 ,  H10B41/20

Abstract: 用于形成3D‑NAND器件的方法包括使多晶Si层凹陷到间隔的氧化物层下方的某一深度。在所述间隔的氧化物层上而不是在凹陷的多晶Si层上形成衬垫。在所述衬垫上的间隙中沉积金属层以形成字线。

公开(公告)号：CN110678972A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880029923.6

申请日：2018-06-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  巫勇 ,  秦嘉政 ,  吕新亮 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  段子青 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/02 ,  H01L27/11551

Abstract: 用于形成3D-NAND器件的方法包括使多晶Si层凹陷到间隔的氧化物层下方的某一深度。在所述间隔的氧化物层上而不是在凹陷的多晶Si层上形成衬垫。在所述衬垫上的间隙中沉积金属层以形成字线。

公开(公告)号：CN104254914B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201380021611.8

申请日：2013-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吕新亮 ,  赛沙德利·甘古利 ,  阿蒂夫·努里 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  陈世忠 ,  雷雨 ,  傅新宇 ,  唐薇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供制造适用于鳍式场效应晶体管结构的金属栅极的方法。在此所述的方法通常包括在半导体基板上形成高k介电材料；在该高k介电材料之上沉积高k介电帽层；沉积PMOS功函数层，其具有正功函数值；沉积NMOS功函数层；在该NMOS功函数层之上沉积NMOS功函数帽层；除去至少一部分的PMOS功函数层或至少一部分的NMOS功函数层；和沉积填充层。沉积高k介电帽层、沉积PMOS功函数层或沉积NMOS功函数帽层可包括氮化钛、氮化钛硅、或氮化钛铝的原子层沉积。可先沉积PMOS或NMOS中的任一者。

公开(公告)号：CN104718314B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201380054227.8

申请日：2013-10-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 戴维·汤普森 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  吕新亮 ,  唐薇 ,  周静 ,  赛沙德利·甘古利 ,  杰弗里·W·安西斯 ,  阿蒂夫·努里 ,  法鲁克·京格尔 ,  吴典晔 ,  张镁 ,  陈世忠

IPC: C23C30/00 ,  C23C26/00

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534

Abstract: 所提供的是包括铝、碳和金属的膜，其中铝的元素含量是大于约16％的量，且碳含量小于约50％。还提供了沉积所述膜的方法。

公开(公告)号：CN104254914A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201380021611.8

申请日：2013-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吕新亮 ,  赛沙德利·甘古利 ,  阿蒂夫·努里 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  陈世忠 ,  雷雨 ,  傅新宇 ,  唐薇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供制造适用于鳍式场效应晶体管结构的金属栅极的方法。在此所述的方法通常包括在半导体基板上形成高k介电材料；在该高k介电材料之上沉积高k介电帽层；沉积PMOS功函数层，其具有正功函数值；沉积NMOS功函数层；在该NMOS功函数层之上沉积NMOS功函数帽层；除去至少一部分的PMOS功函数层或至少一部分的NMOS功函数层；和沉积填充层。沉积高k介电帽层、沉积PMOS功函数层或沉积NMOS功函数帽层可包括氮化钛、氮化钛硅、或氮化钛铝的原子层沉积。可先沉积PMOS或NMOS中的任一者。

公开(公告)号：CN102224573B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN200980147109.5

申请日：2009-11-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张梅 ,  高建德 ,  吕新亮 ,  葛振宾

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683 ,  H01L2221/1063

Abstract: 本发明的实施例大致关于处理半导体基板的设备与方法。明确地说，本发明的实施例关于在填充沟槽与介层洞之前用于沟槽与介层洞轮廓的修饰的方法与设备。本发明的一实施例包括通过让沟槽结构接触蚀刻剂以形成牺牲层来夹封沟槽结构的顶部开口。一实施例中，蚀刻剂设以与第一材料反应并产生形成牺牲层的副产物而移除第一材料。

公开(公告)号：CN104718314A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201380054227.8

申请日：2013-10-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 戴维·汤普森 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  吕新亮 ,  唐薇 ,  周静 ,  赛沙德利·甘古利 ,  杰弗里·W·安西斯 ,  阿蒂夫·努里 ,  法鲁克·京格尔 ,  吴典晔 ,  张镁 ,  陈世忠

IPC: C23C30/00 ,  C23C26/00

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534

Abstract: 所提供的是包括铝、碳和金属的膜，其中铝的元素含量是大于约16％的量，且碳含量小于约50％。还提供了沉积所述膜的方法。

公开(公告)号：CN103824746A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410050265.2

申请日：2009-11-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张梅 ,  高建德 ,  吕新亮 ,  葛振宾

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683 ,  H01L2221/1063

Abstract: 本发明的实施例大致关于处理半导体基板的设备与方法。明确地说，本发明的实施例关于在填充沟槽与介层洞之前用于沟槽与介层洞轮廓的修饰的方法与设备。本发明的一实施例包括通过让沟槽结构接触蚀刻剂以形成牺牲层来夹封沟槽结构的顶部开口。一实施例中，蚀刻剂设以与第一材料反应并产生形成牺牲层的副产物而移除第一材料。

公开(公告)号：CN103824746B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410050265.2

申请日：2009-11-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张梅 ,  高建德 ,  吕新亮 ,  葛振宾

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683 ,  H01L2221/1063

Abstract: 本发明的实施例大致关于处理半导体基板的设备与方法。明确地说，本发明的实施例关于在填充沟槽与介层洞之前用于沟槽与介层洞轮廓的修饰的方法与设备。本发明的一实施例包括通过让沟槽结构接触蚀刻剂以形成牺牲层来夹封沟槽结构的顶部开口。一实施例中，蚀刻剂设以与第一材料反应并产生形成牺牲层的副产物而移除第一材料。