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公开(公告)号：CN108431924A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680069176.X
申请日：2016-11-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 雷雨 , 维卡什·班西埃 , 吴凯 , 傅新宇 , 徐毅 , 大东和也 , 马飞跃 , 普及特·阿咖瓦 , 林驰筹 , 吴典晔 , 简国强 , 唐薇 , 薇·V·唐 , 乔纳森·巴克 , 森德·拉马默蒂
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/0227 , C23C16/0281 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/08 , C23C16/4401 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/46 , C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/31116 , H01L21/76802 , H01L21/76877
Abstract: 本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，该特征形成在基板的该介电层的第一表面中；将该基板传送到第二基板处理腔室而不将该基板暴露至大气；以及将该基板暴露至第二气体以在该钨衬垫层顶上沉积钨填充层，该第二气体包括氟化钨前驱物。
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公开(公告)号：CN105518827A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480049063.4
申请日：2014-09-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布尚·N·左普 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 博·郑 , 雷雨 , 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 柳尚澔 , 马修·亚伯拉罕
IPC: H01L21/205
Abstract: 本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。
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公开(公告)号：CN104081531A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380007248.4
申请日：2013-02-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 雷雨 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 傅新宇 , 唐薇 , 阿蒂夫·努里
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供采用掺杂Si、Al、Ga、Ge、In及/或Hf的TiN及/或TaN膜的装置和方法。此类膜可用作高k介电帽层、PMOS功函数层、铝阻挡层和/或氟阻挡物。这些TiSiN、TaSiN、TiAlN、TaAlN、TiGaN、TaGaN、TiGeN、TaGeN、TiInN、TaInN、TiHfN或TaHfN膜可用于传统上使用TiN及/或TaN膜处，或者所述膜可结合TiN及/或TaN使用。
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公开(公告)号：CN104737275A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054229.7
申请日：2013-10-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 阿蒂夫·努里 , 张镁 , 戴维·汤普森 , 史蒂夫·G·加奈耶姆
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/0272 , C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/345 , C23C16/42 , C23C16/45525 , C23C16/45551 , C23C16/45553 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/28088 , H01L21/28506 , H01L21/32051 , H01L21/32053 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供使用含钨反应气体沉积钨膜或含钨膜的原子层沉积方法，所述含钨反应气体包含以下的一或多种：五氯化钨、具有经验式WCl5或WCl6的化合物。
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公开(公告)号：CN103003926A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180034795.2
申请日：2011-06-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 约翰·C·福斯特 , 何泰宏 , 穆拉利·K·纳拉辛汉 , 傅新宇 , 孙达雷吉恩·阿尔温德 , 郭晓曦
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32422
Abstract: 本文公开用于处理基板的设备。在某些实施例中，基板处理系统可包括处理腔室、基板支撑件及等离子体过滤器。该处理腔室具有用来接收等离子体的第一空间以及用来处理基板的第二空间。该基板支撑件设置于第二空间中。该等离子体过滤器设置于处理腔室中并且在第一空间及第二空间之间，使得形成在第一空间的等离子体可仅从第一空间经由等离子体过滤器而流进第二空间。在某些实施例中，基板处理系统包括耦接至处理腔室的处理套件，其中等离子体过滤器设置于处理套件中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110066984A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910069988.X
申请日：2014-09-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布尚·N·左普 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 博·郑 , 雷雨 , 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 柳尚澔 , 马修·亚伯拉罕
IPC: C23C16/18 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。
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公开(公告)号：CN108431924B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201680069176.X
申请日：2016-11-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 雷雨 , 维卡什·班西埃 , 吴凯 , 傅新宇 , 徐毅 , 大东和也 , 马飞跃 , 普及特·阿咖瓦 , 林驰筹 , 吴典晔 , 简国强 , 薇·V·唐 , 乔纳森·巴克 , 张镁 , 森德·拉马默蒂
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/285
Abstract: 本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，该特征形成在基板的该介电层的第一表面中；将该基板传送到第二基板处理腔室而不将该基板暴露至大气；以及将该基板暴露至第二气体以在该钨衬垫层顶上沉积钨填充层，该第二气体包括氟化钨前驱物。
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公开(公告)号：CN104737275B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201380054229.7
申请日：2013-10-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 阿蒂夫·努里 , 张镁 , 戴维·汤普森 , 史蒂夫·G·加奈耶姆
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/0272 , C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/345 , C23C16/42 , C23C16/45525 , C23C16/45551 , C23C16/45553 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/28088 , H01L21/28506 , H01L21/32051 , H01L21/32053 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供使用含钨反应气体沉积钨膜或含钨膜的原子层沉积方法，所述含钨反应气体包含以下的一或多种：五氯化钨、具有经验式WCl5或WCl6的化合物。
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公开(公告)号：CN104254914B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201380021611.8
申请日：2013-04-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/28088 , H01L21/3221 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L29/4966 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供制造适用于鳍式场效应晶体管结构的金属栅极的方法。在此所述的方法通常包括在半导体基板上形成高k介电材料；在该高k介电材料之上沉积高k介电帽层；沉积PMOS功函数层，其具有正功函数值；沉积NMOS功函数层；在该NMOS功函数层之上沉积NMOS功函数帽层；除去至少一部分的PMOS功函数层或至少一部分的NMOS功函数层；和沉积填充层。沉积高k介电帽层、沉积PMOS功函数层或沉积NMOS功函数帽层可包括氮化钛、氮化钛硅、或氮化钛铝的原子层沉积。可先沉积PMOS或NMOS中的任一者。
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公开(公告)号：CN110066984B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910069988.X
申请日：2014-09-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布尚·N·左普 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 博·郑 , 雷雨 , 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 柳尚澔 , 马修·亚伯拉罕
IPC: C23C16/18 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。
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