公开(公告)号：CN104205302B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201380014720.7

申请日：2013-03-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布尚·N·左普 ,  阿夫热里诺·V·杰拉托斯 ,  博·郑 ,  雷宇 ,  付新宇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  尚浩·于 ,  马修·亚伯拉罕

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/66621

Abstract: 提供用于在半导体器件的接触结构中沉积接触金属层的方法。在一个实施方式中，提供一种沉积接触金属层以用于形成半导体器件中的接触结构的方法。所述方法包括进行循环金属沉积工艺以在基板上沉积接触金属层和对设置在基板上的接触金属层进行退火。所述循环金属沉积工艺包括使基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积接触金属层的一部分，使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺，并重复使基板暴露于沉积前驱物气体混合物和使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺的步骤，直到达到所述接触金属层的预定厚度。

公开(公告)号：CN105518827A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480049063.4

申请日：2014-09-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布尚·N·左普 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  博·郑 ,  雷雨 ,  傅新宇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  柳尚澔 ,  马修·亚伯拉罕

IPC: H01L21/205

Abstract: 本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。

公开(公告)号：CN106887380B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201710145552.5

申请日：2013-03-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布尚·N·左普 ,  阿夫热里诺·V·杰拉托斯 ,  博·郑 ,  雷宇 ,  付新宇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  尚浩·于 ,  马修·亚伯拉罕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

Abstract: 提供用于在半导体器件的接触结构中沉积接触金属层的方法。在一个实施方式中，提供一种沉积接触金属层以用于形成半导体器件中的接触结构的方法。所述方法包括进行循环金属沉积工艺以在基板上沉积接触金属层和对设置在基板上的接触金属层进行退火。所述循环金属沉积工艺包括使基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积接触金属层的一部分，使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺，并重复使基板暴露于沉积前驱物气体混合物和使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺的步骤，直到达到所述接触金属层的预定厚度。

公开(公告)号：CN110066984A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910069988.X

申请日：2014-09-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布尚·N·左普 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  博·郑 ,  雷雨 ,  傅新宇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  柳尚澔 ,  马修·亚伯拉罕

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。

公开(公告)号：CN104205302A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380014720.7

申请日：2013-03-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布尚·N·左普 ,  阿夫热里诺·V·杰拉托斯 ,  博·郑 ,  雷宇 ,  付新宇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  尚浩·于 ,  马修·亚伯拉罕

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/66621

Abstract: 提供用于在半导体器件的接触结构中沉积接触金属层的方法。在一个实施方式中，提供一种沉积接触金属层以用于形成半导体器件中的接触结构的方法。所述方法包括进行循环金属沉积工艺以在基板上沉积接触金属层和对设置在基板上的接触金属层进行退火。所述循环金属沉积工艺包括使基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积接触金属层的一部分，使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺，并重复使基板暴露于沉积前驱物气体混合物和使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺的步骤，直到达到所述接触金属层的预定厚度。

公开(公告)号：CN110066984B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201910069988.X

申请日：2014-09-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布尚·N·左普 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  博·郑 ,  雷雨 ,  傅新宇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  柳尚澔 ,  马修·亚伯拉罕

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。

公开(公告)号：CN105518827B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201480049063.4

申请日：2014-09-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布尚·N·左普 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  博·郑 ,  雷雨 ,  傅新宇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  柳尚澔 ,  马修·亚伯拉罕

IPC: H01L21/205

Abstract: 本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。

公开(公告)号：CN106887380A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201710145552.5

申请日：2013-03-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布尚·N·左普 ,  阿夫热里诺·V·杰拉托斯 ,  博·郑 ,  雷宇 ,  付新宇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  尚浩·于 ,  马修·亚伯拉罕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

Abstract: 提供用于在半导体器件的接触结构中沉积接触金属层的方法。在一个实施方式中，提供一种沉积接触金属层以用于形成半导体器件中的接触结构的方法。所述方法包括进行循环金属沉积工艺以在基板上沉积接触金属层和对设置在基板上的接触金属层进行退火。所述循环金属沉积工艺包括使基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积接触金属层的一部分，使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺，并重复使基板暴露于沉积前驱物气体混合物和使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺的步骤，直到达到所述接触金属层的预定厚度。