公开(公告)号：CN106887380A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201710145552.5

申请日：2013-03-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布尚·N·左普 ,  阿夫热里诺·V·杰拉托斯 ,  博·郑 ,  雷宇 ,  付新宇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  尚浩·于 ,  马修·亚伯拉罕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

Abstract: 提供用于在半导体器件的接触结构中沉积接触金属层的方法。在一个实施方式中，提供一种沉积接触金属层以用于形成半导体器件中的接触结构的方法。所述方法包括进行循环金属沉积工艺以在基板上沉积接触金属层和对设置在基板上的接触金属层进行退火。所述循环金属沉积工艺包括使基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积接触金属层的一部分，使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺，并重复使基板暴露于沉积前驱物气体混合物和使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺的步骤，直到达到所述接触金属层的预定厚度。

公开(公告)号：CN102918636A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180026521.9

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷宇 ,  卢欣亮 ,  刘相浩 ,  金勋 ,  保罗·F·马 ,  张梅 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  帕特丽夏·M·刘

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28008 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积（CVD）、脉冲式CVD或原子层沉积（ALD）。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。

公开(公告)号：CN105390381A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510688559.2

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷宇 ,  卢欣亮 ,  刘相浩 ,  金勋 ,  保罗·F·马 ,  张梅 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  帕特丽夏·M·刘

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/28008 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积(CVD)、脉冲式CVD或原子层沉积(ALD)。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。

公开(公告)号：CN102918636B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180026521.9

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷宇 ,  卢欣亮 ,  刘相浩 ,  金勋 ,  保罗·F·马 ,  张梅 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  帕特丽夏·M·刘

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28008 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积（CVD）、脉冲式CVD或原子层沉积（ALD）。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。

公开(公告)号：CN105390381B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201510688559.2

申请日：2011-04-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷宇 ,  卢欣亮 ,  刘相浩 ,  金勋 ,  保罗·F·马 ,  张梅 ,  梅特伊·马哈贾尼 ,  帕特丽夏·M·刘

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  C23C16/06 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积(CVD)、脉冲式CVD或原子层沉积(ALD)。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。

公开(公告)号：CN104205302B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201380014720.7

申请日：2013-03-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布尚·N·左普 ,  阿夫热里诺·V·杰拉托斯 ,  博·郑 ,  雷宇 ,  付新宇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  尚浩·于 ,  马修·亚伯拉罕

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/66621

Abstract: 提供用于在半导体器件的接触结构中沉积接触金属层的方法。在一个实施方式中，提供一种沉积接触金属层以用于形成半导体器件中的接触结构的方法。所述方法包括进行循环金属沉积工艺以在基板上沉积接触金属层和对设置在基板上的接触金属层进行退火。所述循环金属沉积工艺包括使基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积接触金属层的一部分，使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺，并重复使基板暴露于沉积前驱物气体混合物和使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺的步骤，直到达到所述接触金属层的预定厚度。

公开(公告)号：CN106887380B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201710145552.5

申请日：2013-03-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布尚·N·左普 ,  阿夫热里诺·V·杰拉托斯 ,  博·郑 ,  雷宇 ,  付新宇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  尚浩·于 ,  马修·亚伯拉罕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

Abstract: 提供用于在半导体器件的接触结构中沉积接触金属层的方法。在一个实施方式中，提供一种沉积接触金属层以用于形成半导体器件中的接触结构的方法。所述方法包括进行循环金属沉积工艺以在基板上沉积接触金属层和对设置在基板上的接触金属层进行退火。所述循环金属沉积工艺包括使基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积接触金属层的一部分，使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺，并重复使基板暴露于沉积前驱物气体混合物和使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺的步骤，直到达到所述接触金属层的预定厚度。

公开(公告)号：CN104205302A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380014720.7

申请日：2013-03-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布尚·N·左普 ,  阿夫热里诺·V·杰拉托斯 ,  博·郑 ,  雷宇 ,  付新宇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  尚浩·于 ,  马修·亚伯拉罕

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/66621

Abstract: 提供用于在半导体器件的接触结构中沉积接触金属层的方法。在一个实施方式中，提供一种沉积接触金属层以用于形成半导体器件中的接触结构的方法。所述方法包括进行循环金属沉积工艺以在基板上沉积接触金属层和对设置在基板上的接触金属层进行退火。所述循环金属沉积工艺包括使基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积接触金属层的一部分，使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺，并重复使基板暴露于沉积前驱物气体混合物和使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺的步骤，直到达到所述接触金属层的预定厚度。