公开(公告)号：CN106409651A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201510784312.0

申请日：2015-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承晏 ,  李达元 ,  李欣怡 ,  蔡明兴 ,  曹学文 ,  张文 ,  洪英杰 ,  林逸宏

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/28088 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L21/0262 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供了预沉积处理和原子层沉积(ALD)工艺及其形成的结构。描述了各种方法和通过这些方法形成的结构。根据一种方法，第一含金属层形成在衬底上。第二含金属层形成在衬底上。第一含金属层的材料不同于第二含金属层的材料。对第一含金属层和第二含金属层执行基于氯的处理。使用原子层沉积(ALD)在第一含金属层和第二含金属层上沉积第三含金属层。

公开(公告)号：CN106158727A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510144461.0

申请日：2015-03-30

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 何朋 ,  蒋剑勇 ,  孙日辉

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76871 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76865 ,  H01L2221/1084

Abstract: 本申请提供了一种铜金属化工艺。该铜金属化工艺包括：步骤S1，在形成预通孔的晶片的表面上设置金属阻挡层；步骤S2，在金属阻挡层的表面上设置铜籽晶层；步骤S3，在铜籽晶层上设置铜层；以及步骤S4，去除预通孔以外的金属阻挡层、铜籽晶层与铜层，形成通孔；其中，步骤S2包括：步骤S21，在金属阻挡层的表面上淀积铜籽晶层；步骤S22，将铜籽晶层冷却的同时向铜籽晶层通氧气，形成铜氧化层；步骤S23，去除铜氧化层。该铜金属化工艺使得铜层与铜籽晶层之间不再具有氧化铜和有机杂质气体，二者的粘结性较好，大大减小了铜层拔出现象的发生的几率，甚至从根本上消除铜层拔出现象的产生。

公开(公告)号：CN106030792A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580009551.7

申请日：2015-02-19

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： J·J·徐 ,  J·J·朱 ,  C·F·耶普

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括具有将第一互连层(110)耦合至沟槽(302)的通孔(304)的管芯。该半导体器件还包括在沟槽的侧壁和毗邻表面上以及在通孔的侧壁上的阻挡层(306)。该半导体器件具有在第一互连层的表面上的掺杂导电层(308)。该掺杂导电层在通孔的侧壁之间延伸。该半导体器件进一步包括在通孔和沟槽两者中的在阻挡层上的导电材料(202)。该导电材料在布置在第一互连层的表面上的掺杂导电层上。

公开(公告)号：CN105390438A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510518752.1

申请日：2015-08-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 罗郑硕 ,  于天华 ,  米卡尔·达内克 ,  桑杰·戈皮纳特

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/76876 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53209 ,  H01L21/768 ,  C23C16/44 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明涉及无孔隙钴间隙填充的方法，本发明提供的方法将无孔隙钴沉积到具有高深宽比的特征中。方法涉及(a)用钴来部分填充特征，(b)将特征暴露至从含氮气体产生的等离子体，来选择性抑制在特征的顶部处或者其附近的表面的钴核化；可选地重复(a)和(b)；以及通过化学气相沉积将大量钴沉积到特征中。方法还可以涉及将包含阻挡层的特征暴露至从含氮气体产生的等离子体，以选择性抑制钴核化。方法可以在低于约400℃的低温下使用含钴前体来执行。

公开(公告)号：CN103738914B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201410010413.8

申请日：2014-01-09

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 张振兴 ,  奚裴 ,  熊磊

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00428 ,  B81C1/00492 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供了一种MEMS器件的制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成氮化钽层和硬掩膜层；在所述硬掩膜层上涂布光刻胶并对所述硬掩膜层进行第一次刻蚀，形成刻蚀窗口，所述刻蚀窗口下保留部分硬掩膜层；去除所述硬掩膜层上的光刻胶并对所述刻蚀窗口下的硬掩膜层和氮化钽层进行第二次刻蚀，形成沟槽。在本发明提供的MEMS器件的制造方法中，通过两次刻蚀形成沟槽，其中第一次刻蚀保留部分硬掩膜层用以隔离氮化钽层和光刻胶，第二次刻蚀通过硬掩膜层对氮化钽层进行刻蚀，从而避免了氮化钽层刻蚀过程中由于直接以光刻胶为掩膜层而产生的含钽类聚合物残留问题。

公开(公告)号：CN104576518A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410571818.9

申请日：2014-10-23

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 张洵渊 ,  M·蔡 ,  L·赵

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76858 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于后段制程金属化的混合型锰和氮化锰阻障物及其制法，公开一种制造集成电路的方法，包括：提供覆于半导体衬底上的导电材料和覆于该导电材料上的介电材料，其中开口使该导电材料的表面和该介电材料的侧壁暴露，且选择性地沉积第一阻障材料的第一层于该导电材料的表面上，该介电材料的侧壁仍维持暴露，若使得该第一阻障材料于退火制程期间被退火，则该第一阻障材料将扩散至该导电材料中。该方法进一步包括修饰该暴露表面上的该第一阻障材料以形成第二阻障材料，使得该第二阻障材料于退火制程期间将不扩散至该导电材料中，并沿着该开口的侧壁沉积该第一阻障材料的第二层。又更进一步，该方法包括退火该半导体衬底。

公开(公告)号：CN102473628B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201080034653.1

申请日：2010-07-27

Applicant: 诺发系统有限公司

Inventor： 史蒂文·T·迈尔 ,  埃里克·韦布 ,  戴维·W·波特

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  C23F1/34 ,  C23F3/04 ,  C25D5/48 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/288 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 可通过pH介于约5与12之间的湿蚀刻溶液蚀刻半导体衬底上的经暴露铜区域，所述湿蚀刻溶液包括：(i)选自由二齿、三齿及四齿络合剂组成的群组的一种或一种以上络合剂；及(ii)氧化剂。在许多实施例中，所述蚀刻为大致各向同性的且在铜的表面上不形成可见不溶物质的情况下发生。所述蚀刻用于半导体制作中的若干个过程中，包含用于部分地或完全地移除铜覆盖物、用于平面化铜表面及用于在填充有铜的镶嵌特征中形成凹入部。适合蚀刻溶液的实例包含包括分别作为二齿及三齿络合剂的二胺(例如，乙二胺)及/或三胺(例如，二亚乙基三胺)以及作为氧化剂的过氧化氢的溶液。在一些实施例中，所述蚀刻溶液进一步包含pH调整剂，例如硫酸、氨基酸及羧酸。

公开(公告)号：CN101558476B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN200780046332.1

申请日：2007-12-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 耶兹迪·多尔迪 ,  约翰·M·博伊德 ,  弗里茨·C·雷德克 ,  威廉·蒂 ,  蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 ,  衡石·亚历山大·尹

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种互连结构，该结构包括电介质材料层，该电介质材料层具有至少一个开口以及在限定该开口的侧壁上的第一阻障层。含钌并含氧的第二阻障层覆盖在该第一阻障层上，该第二阻障层具有钌区、氧化钌区和钌富集区。该钌区被置于该第一阻障层和该氧化钌区之间，且该氧化钌区被置于该钌区和该钌富集区之间。

公开(公告)号：CN102956438A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110299778.3

申请日：2011-10-08

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 苏国辉 ,  陈逸男 ,  刘献文

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/321 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76885

Abstract: 提供一种导体图案的形成方法。在底层上形成种层。以能量射线对种层的部分表面进行照射处理，使得种层包括多个经照射区域与多个未经照射区域。对种层的经照射区域进行转化处理。进行选择性成长制程，以在种层的未经照射区域上生长导体图案。移除种层的经照射区域，使导体图案彼此电性绝缘。

公开(公告)号：CN101542710B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200780031776.8

申请日：2007-09-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·V·德什潘德 ,  P·W·德哈文 ,  A·马丹 ,  黄洸汉

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/76856

Abstract: 本发明的实施例提供了一种在半导体器件和后端工艺互连之间的电介质材料层中制造接触结构的方法。该方法包括在所述电介质材料层中生成至少一个接触开口；通过化学气相淀积工艺形成第一TiN膜，所述第一TiN膜对所述接触开口加衬；以及通过物理气相淀积工艺形成第二TiN膜，所述第二TiN膜对所述第一TiN膜加衬。还提供了根据本发明的实施例制造的接触结构。