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公开(公告)号：CN104576420B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201410569403.8
申请日：2014-10-22
Applicant: 格罗方德半导体公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/76805 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭露一种在铜金属化中用于自形成阻障工艺的电子迁移增进方法，其提供一种形成阻障在导孔的侧壁及底部上的方法及所产生的装置。实施例包括：形成金属线在基板中；形成硅基绝缘层在该金属线及该基板上方；向下形成导孔在该硅基绝缘层中直到该金属线；形成双层的锰/氮化锰在该导孔的侧壁及底面上；以及以金属填充该导孔。
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公开(公告)号：CN104576518A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410571818.9
申请日：2014-10-23
Applicant: 格罗方德半导体公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
CPC classification number: H01L21/76858 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76856 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于后段制程金属化的混合型锰和氮化锰阻障物及其制法，公开一种制造集成电路的方法，包括：提供覆于半导体衬底上的导电材料和覆于该导电材料上的介电材料，其中开口使该导电材料的表面和该介电材料的侧壁暴露，且选择性地沉积第一阻障材料的第一层于该导电材料的表面上，该介电材料的侧壁仍维持暴露，若使得该第一阻障材料于退火制程期间被退火，则该第一阻障材料将扩散至该导电材料中。该方法进一步包括修饰该暴露表面上的该第一阻障材料以形成第二阻障材料，使得该第二阻障材料于退火制程期间将不扩散至该导电材料中，并沿着该开口的侧壁沉积该第一阻障材料的第二层。又更进一步，该方法包括退火该半导体衬底。
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公开(公告)号：CN104576518B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201410571818.9
申请日：2014-10-23
Applicant: 格罗方德半导体公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
CPC classification number: H01L21/76858 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76856 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于后段制程金属化的混合型锰和氮化锰阻障物及其制法,公开种制造集成电路的方法,包括:提供覆于半导体衬底上的导电材料和覆于该导电材料上的介电材料,其中开口使该导电材料的表面和该介电材料的侧壁暴露,且选择性地沉积第阻障材料的第层于该导电材料的表面上,该介电材料的侧壁仍维持暴露,若使得该第阻障材料于退火制程期间被退火,则该第阻障材料将扩散至该导电材料中。该方法进步包括修饰该暴露表面上的该第阻障材料以形成第二阻障材料,使得该第二阻障材料于退火制程期间将不扩散至该导电材料中,并沿着该开口的侧壁沉积该第阻障材料的第二层。又更进步,该方法包括退火该半导体衬底。
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公开(公告)号：CN104576420A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410569403.8
申请日：2014-10-22
Applicant: 格罗方德半导体公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/76805 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭露一种在铜金属化中用于自形成阻障工艺的电子迁移增进方法，其提供一种形成阻障在导孔的侧壁及底部上的方法及所产生的装置。实施例包括：形成金属线在基板中；形成硅基绝缘层在该金属线及该基板上方；向下形成导孔在该硅基绝缘层中直到该金属线；形成双层的锰/氮化锰在该导孔的侧壁及底面上；以及以金属填充该导孔。
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