公开(公告)号：CN101399185A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200710046800.7

申请日：2007-09-30

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 祁春媛 ,  倪百兵 ,  孙日辉 ,  杜学东

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 一种保护金属层的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上包含有金属层；冷却金属层；在金属层上形成晶向致密的腐蚀阻挡层。本发明还提供一种形成焊盘、金属布线层及微反射镜面的方法。本发明冷却金属层，使在金属层上形成的腐蚀阻挡层晶向致密，使后续形成的光刻胶层无法从金属层上面的膜层渗透至金属层表面，使金属层完整，进而达到保护焊盘、金属布线层或者微反射镜面的效果。

公开(公告)号：CN102021625B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200910195634.6

申请日：2009-09-11

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 孙日辉 ,  倪百兵 ,  蒋剑勇 ,  张继伟 ,  王鹏

IPC: C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  C25D17/28 ,  C25D21/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/445

Abstract: 本发明公开了一种电化学电镀设备和方法，其中电镀设备包括：机械手臂，用于晶片的运输；电镀槽，用于对晶片进行电镀；清洗槽，用于对电镀后的晶片进行清洗；控制装置，用于对机械手臂、电镀槽及清洗槽进行控制，且当对晶片进行电镀的电镀时间小于清洗时间时，控制装置用于对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整，从而延长晶片在电镀槽内的停留时间。本发明通过对电镀设备和方法进行改进，提高了电镀设备的利用率。

公开(公告)号：CN101399185B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200710046800.7

申请日：2007-09-30

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 祁春媛 ,  倪百兵 ,  孙日辉 ,  杜学东

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 一种保护金属层的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上包含有金属层；冷却金属层；在金属层上形成晶向致密的腐蚀阻挡层。本发明还提供一种形成焊盘、金属布线层及微反射镜面的方法。本发明冷却金属层，使在金属层上形成的腐蚀阻挡层晶向致密，使后续形成的光刻胶层无法从金属层上面的膜层渗透至金属层表面，使金属层完整，进而达到保护焊盘、金属布线层或者微反射镜面的效果。

公开(公告)号：CN102021625A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910195634.6

申请日：2009-09-11

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 孙日辉 ,  倪百兵 ,  蒋剑勇 ,  张继伟 ,  王鹏

IPC: C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  C25D17/28 ,  C25D21/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/445

Abstract: 本发明公开了一种电化学电镀设备和方法，其中电镀设备包括：机械手臂，用于晶片的运输；电镀槽，用于对晶片进行电镀；清洗槽，用于对电镀后的晶片进行清洗；控制装置，用于对机械手臂、电镀槽及清洗槽进行控制，且当对晶片进行电镀的电镀时间小于清洗时间时，控制装置用于对晶片在电镀槽内的停留时间进行调整，从而延长晶片在电镀槽内的停留时间。本发明通过对电镀设备和方法进行改进，提高了电镀设备的利用率。

公开(公告)号：CN1635613A

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN200310109860.0

申请日：2003-12-30

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 张开军 ,  孙日辉 ,  徐根保 ,  倪百兵

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: 一种避免漩涡效应缺陷(swirl defect)的方法，包括步骤：以物理气相沉积法(PVD)形成铜种子层(seeding layer)于一底材之上；将形成的铜种子层储存于POD之中以阻隔氧气或其它有机气体与铜反应；将该底材加载一旋转装置中于进行干旋转(于空气中旋转)；以化学电镀(electrical chemical plating)技术在该PVD种子层(seeding layer)上形成所要厚度的铜薄膜。

公开(公告)号：CN103915314B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201210592057.6

申请日：2012-12-31

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 康晓春 ,  何朋 ,  杨益 ,  孙日辉

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明揭示了一种晶圆边缘清洗方法，该方法包括：令晶圆进行第一旋转，向所述晶圆边缘喷洒第一反应液；令所述晶圆进行第二旋转，向所述晶圆边缘喷洒第二反应液；以及用去离子水冲洗所述晶圆。采用本发明晶圆边缘清洗方法对所述晶圆边缘进行清洗，可以减少或去除现有技术中由于清洗晶圆边缘而形成的缺陷，从而提高良率。

公开(公告)号：CN106158727A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510144461.0

申请日：2015-03-30

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 何朋 ,  蒋剑勇 ,  孙日辉

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76871 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76865 ,  H01L2221/1084

Abstract: 本申请提供了一种铜金属化工艺。该铜金属化工艺包括：步骤S1，在形成预通孔的晶片的表面上设置金属阻挡层；步骤S2，在金属阻挡层的表面上设置铜籽晶层；步骤S3，在铜籽晶层上设置铜层；以及步骤S4，去除预通孔以外的金属阻挡层、铜籽晶层与铜层，形成通孔；其中，步骤S2包括：步骤S21，在金属阻挡层的表面上淀积铜籽晶层；步骤S22，将铜籽晶层冷却的同时向铜籽晶层通氧气，形成铜氧化层；步骤S23，去除铜氧化层。该铜金属化工艺使得铜层与铜籽晶层之间不再具有氧化铜和有机杂质气体，二者的粘结性较好，大大减小了铜层拔出现象的发生的几率，甚至从根本上消除铜层拔出现象的产生。

公开(公告)号：CN103915314A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201210592057.6

申请日：2012-12-31

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 康晓春 ,  何朋 ,  杨益 ,  孙日辉

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02087 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明揭示了一种晶圆边缘清洗方法，该方法包括：令晶圆进行第一旋转，向所述晶圆边缘喷洒第一反应液；令所述晶圆进行第二旋转，向所述晶圆边缘喷洒第二反应液；以及用去离子水冲洗所述晶圆。采用本发明晶圆边缘清洗方法对所述晶圆边缘进行清洗，可以减少或去除现有技术中由于清洗晶圆边缘而形成的缺陷，从而提高良率。

公开(公告)号：CN1326216C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200310109860.0

申请日：2003-12-30

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 张开军 ,  孙日辉 ,  徐根保 ,  倪百兵

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: 一种避免漩涡效应缺陷(swirl defect)的方法，包括步骤：以物理气相沉积法(PVD)形成铜种子层(seeding layer)于一衬底之上；将形成的铜种子层储存于POD之中以阻隔氧气或其它有机气体与铜反应；将该衬底加载于一旋转装置中进行干旋转(于空气中旋转)；以化学电镀(electricalchemical plating)技术在该PVD种子层(seeding layer)上形成所要厚度的铜薄膜。