公开(公告)号：CN101399185B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200710046800.7

申请日：2007-09-30

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 祁春媛 ,  倪百兵 ,  孙日辉 ,  杜学东

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 一种保护金属层的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上包含有金属层；冷却金属层；在金属层上形成晶向致密的腐蚀阻挡层。本发明还提供一种形成焊盘、金属布线层及微反射镜面的方法。本发明冷却金属层，使在金属层上形成的腐蚀阻挡层晶向致密，使后续形成的光刻胶层无法从金属层上面的膜层渗透至金属层表面，使金属层完整，进而达到保护焊盘、金属布线层或者微反射镜面的效果。

公开(公告)号：CN101399185A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200710046800.7

申请日：2007-09-30

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 祁春媛 ,  倪百兵 ,  孙日辉 ,  杜学东

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 一种保护金属层的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上包含有金属层；冷却金属层；在金属层上形成晶向致密的腐蚀阻挡层。本发明还提供一种形成焊盘、金属布线层及微反射镜面的方法。本发明冷却金属层，使在金属层上形成的腐蚀阻挡层晶向致密，使后续形成的光刻胶层无法从金属层上面的膜层渗透至金属层表面，使金属层完整，进而达到保护焊盘、金属布线层或者微反射镜面的效果。