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公开(公告)号：CN101370965B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN200680035652.2
申请日：2006-09-26
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 金允尚 , 安德鲁·D·贝利三世 , 衡石·亚历山大·尹
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02087 , H01J37/321 , H01J37/32623
摘要： 本发明披露了一种等离子处理系统，其包括用于处理基片的等离子室。该装置包括卡盘，其被配置为支撑该基片的第一表面。该装置还包括抗等离子阻挡层，其以相关于该基片的第二表面空间隔开的方式进行布置，该第二表面与第一表面相对，该抗等离子阻挡层大体上防护该基片的中间部分，并使得该基片的第二表面的环形周缘区域基本上不受该抗等离子阻挡层防护。该装置进一步包括至少一个通电电极，该通电电极与该抗等离子阻挡层配合运行以由等离子气体产生受限的等离子，该受限的等离子基本上受限于该基片的环形周缘部分并远离该基片的中间部分。
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公开(公告)号：CN101511494B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200780032532.1
申请日：2007-08-17
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： B05D5/12 , H01L21/4763
CPC分类号： H01L21/67196 , C23C14/22 , C23C16/06 , C23C16/44 , C23C16/45544 , C23C16/52 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/1653 , C23C18/38 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/288 , H01L21/321 , H01L21/32115 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L21/67028 , H01L21/67161 , H01L21/67201 , H01L21/67207 , H01L21/6723 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76861 , H01L21/76862 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L21/76876 , H01L21/76879
摘要： 阻挡层和铜层之间的粘着可通过在铜淀积前使该阻挡层富金属以及通过在铜淀积之前限制暴露至该阻挡层的氧的数量得到提高。替代性地，可在该阻挡层上淀积功能化层，使得淀积在该铜互连中的铜层与阻挡层之间具有良好的粘着。该方法包括淀积该金属阻挡层，以将该铜互连结构填在该集成系统中，其中在淀积该金属阻挡层后，转移基底并在受控环境中进行处理，以防止形成金属阻挡氧化物。该方法还包括将该功能化层淀积在集成系统中的金属层上。该方法进一步包括在将该功能化层淀积在该金属阻挡层上以防止电迁移问题后，将该铜层淀积在集成系统中的铜互连结构中。
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公开(公告)号：CN101273429B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200680035702.7
申请日：2006-09-15
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 衡石·亚历山大·尹 , 约翰·博伊德 , 安德拉斯·库蒂 , 安德鲁·D·贝利三世
IPC分类号： H01J7/24 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/02087 , B08B7/0035
摘要： 披露了一种产生用于从基片去除氟化聚合物的等离子的装置。该实施方式包括通电电极组件，其包括通电电极、第一介电层、以及第一金属丝网，该第一金属丝网设置于该通电电极和该第一介电层之间。该实施方式还包括接地电极组件，其相对该通电电极组件设置，从而形成腔，在该腔中产生该等离子，当该等离子存在于该腔中时，该第一金属丝网通过该第一介电层与该等离子屏蔽，该腔在一端具有出口，用于提供该等离子以去除该氟化聚合物。
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公开(公告)号：CN101772830A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200880101397.6
申请日：2008-06-02
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/288 , C25D7/12
CPC分类号： H01L21/76873 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76862 , H01L21/76868
摘要： 本发明涉及半导体器件的金属化的方法和结构。本发明的一个方面是形成具有铜金属化的半导体器件的方法。在一个实施方式中，该方法包括提供具有对于铜的扩散阻挡层的图案化的晶片；在该扩散阻挡层上沉积无铜种晶层，其对空隙填充铜的直接的电化学沉积有效。该种晶层是由保形沉积工艺和由非保形沉积工艺形成的。该方法进一步包括在该种晶层上电镀铜空隙填充。本发明的另一个方面包括使用根据本发明的各实施方式的方法和结构制造的电子器件。
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公开(公告)号：CN101558476B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN200780046332.1
申请日：2007-12-05
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/20
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/28562 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76862 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种互连结构，该结构包括电介质材料层，该电介质材料层具有至少一个开口以及在限定该开口的侧壁上的第一阻障层。含钌并含氧的第二阻障层覆盖在该第一阻障层上，该第二阻障层具有钌区、氧化钌区和钌富集区。该钌区被置于该第一阻障层和该氧化钌区之间，且该氧化钌区被置于该钌区和该钌富集区之间。
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公开(公告)号：CN101272881B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200680035902.2
申请日：2006-09-22
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 衡石·亚历山大·尹 , 威廉·蒂 , 耶兹迪·多尔迪 , 安德鲁·D·贝利三世
IPC分类号： B23K10/00
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/02063 , H01L21/67069 , H05H1/24 , H05H1/2406 , H05H1/48 , H05H2001/2418
摘要： 本发明披露了一种产生用于从基片去除金属氧化物的等离子的装置。该实施方式包括通电电极组件，它又包括：通电电极、第一介电层、以及被布置在该通电电极和该第一介电层之间的第一金属丝网。该实施方式还包括接地电极组件，它被布置在相对该通电电极组件一侧以形成腔，在该腔中产生该等离子，当该等离子存在于该腔中时，该第一介电层防护该第一金属丝网不受该等离子影响，该腔在一端具有出口以用于提供该等离子来去除该金属氧化物。
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公开(公告)号：CN101663734A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200780052635.4
申请日：2007-08-17
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： C23C16/45551 , C23C16/45517 , C23C16/54 , H01L21/28562 , H01L21/76843
摘要： 通过提供使用原子层沉积(ALD)的工艺和系统，该实施方式提供了在互连结构中沉积保形薄膜的装置和方法。更具体地说，该ALD系统的每一个包括邻近头(430)，其在该基片表面(410)的活动工艺区域的上方具有小的反应容积。该邻近头在相对较短的时间内将少量的反应物和清除气体分发到该邻近头和该基片之间的该小反应容积中并从该反应容积中抽走，由此增加了通量。在一个示例性实施方式中，提供一种用于分发反应物和清除气体以由原子层沉积(ALD)沉积薄膜的邻近头。该邻近头被配置为序贯分发反应物气体(445，443)和清除气体(441)以在该邻近头下方沉积ALD薄膜。该邻近头覆盖基片表面的活动工艺区域。该邻近头还包括至少一个真空通道(465)以从面向该基片的该邻近头表面和该基片之间的反应容积(450)中抽取多余的反应物气体、清除气体或沉积副产品。该邻近头包括多个侧面，每个侧面被配置为在该邻近头下方的该基片表面上分发反应物气体或清除气体。每个侧面有至少一个真空通道。
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公开(公告)号：CN101558476A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200780046332.1
申请日：2007-12-05
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/20
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/28562 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76862 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供一种互连结构，该结构包括电介质材料层，该电介质材料层具有至少一个开口以及在限定该开口的侧壁上的第一阻障层。含钌并含氧的第二阻障层覆盖在该第一阻障层上，该第二阻障层具有钌区、氧化钌区和钌富集区。该钌区被置于该第一阻障层和该氧化钌区之间，且该氧化钌区被置于该钌区和该钌富集区之间。
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公开(公告)号：CN101558186A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200780032409.X
申请日：2007-08-17
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/00
摘要： 本发明提供生产金属－金属间或硅－金属间界面的工艺和集成系统，以提升铜布线的电迁移性能，提供较低的金属电阻率，并提升金属－金属间或硅－金属间的粘着性。提供一种在集成系统中，对基板表面进行预先处理，以在铜表面选择性地沉积一钴合金薄层从而提升铜布线的电子迁移性的方法。该方法包括：在集成系统中去除基板表面的有机污染物和金属氧化物，并在去除污染物和金属氧化物之后，在集成系统中修复该基板表面。该方法还包括在修复基板表面之后，在集成系统中，在铜布线的铜表面选择性地沉积一钴合金材料薄层。还提供一种实现上述方法的系统。
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