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公开(公告)号：CN102347210A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110044283.6
申请日：2007-08-28
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 约翰·博伊德 , 耶兹迪·多尔迪 , 蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 , 班杰明·W·莫琳 , 约翰·帕克斯 , 威廉·蒂 , 弗里茨·C·雷德克 , 阿瑟·M·霍瓦尔德 , 艾伦·舍普 , 戴维·黑梅克
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/67017 , H01L21/67207 , H01L21/67745
Abstract: 本发明公开在衬底上进行填隙的方法。公开了一种用于在受控环境下填充衬底特征的方法，包括如下方法操作：在组合工具的第一腔室内在所述衬底上蚀刻一特征；在所述组合工具的第二腔室内沉积阻挡层，设置所述阻挡层以防止铜扩散入所述特征的暴露面；并且用直接沉积在所述阻挡层上方的填隙材料填充所述特征。还公开一种无需在衬底上应用籽晶层而执行填隙工艺的方法。
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公开(公告)号：CN100447935C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN03810377.X
申请日：2003-05-01
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿瑟·M·霍瓦尔德 , 安德拉斯·库蒂 , 安德鲁三世·D·贝利 , 布彻·伯尼
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32477 , H01J37/32623
Abstract: 本发明披露了一种用于处理基片以在其上形成电子元件的等离子体处理室。该等离子体处理室包括具有在基片处理过程中面向等离子体处理室内的等离子体的面向等离子体的表面的面向等离子体元件。该面向等离子体元件与接地端子电绝缘。该等离子体处理室还包括连接到面向等离子体元件的接地装置，该接地装置包括设置在面向等离子体元件和接地端子之间的第一电流通路内的第一电阻电路。该接地装置还包括设置在面向等离子体元件和接地端子之间的至少其它一个电流通路内的RF滤波器装置，其中，选择第一电阻电路的阻抗值，以基本上消除在基片处理过程中等离子体和面向等离子体元件之间的电弧。
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公开(公告)号：CN101558186B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN200780032409.X
申请日：2007-08-17
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/312 , H01L21/302 , C23C16/00
Abstract: 本发明提供生产金属-金属间或硅-金属间界面的工艺和集成系统，以提升铜布线的电迁移性能，提供较低的金属电阻率，并提升金属-金属间或硅-金属间的粘着性。提供一种在集成系统中，对基板表面进行预先处理，以在铜表面选择性地沉积一钴合金薄层从而提升铜布线的电子迁移性的方法。该方法包括：在集成系统中去除基板表面的有机污染物和金属氧化物，并在去除污染物和金属氧化物之后，在集成系统中修复该基板表面。该方法还包括在修复基板表面之后，在集成系统中，在铜布线的铜表面选择性地沉积一钴合金材料薄层。还提供一种实现上述方法的系统。
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公开(公告)号：CN101073085B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200580041912.2
申请日：2005-10-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿瑟·M·霍瓦尔德 , 安德拉斯·库蒂 , 安德鲁三世·D·贝利
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32183 , H01J37/3299 , H03H7/40 , H05H1/46
Abstract: 公开了一种用于改进对等离子体负载的RF功率传输稳定性的方法(806)。该方法包括：在RF电源系统中的一个指定位置添加RF阻抗电阻器和/或RF功率衰减器，以降低阻抗导数同时保持阻抗匹配电路与RF传输线阻抗的调谐(804)。
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公开(公告)号：CN1653580A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810377.X
申请日：2003-05-01
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿瑟·M·霍瓦尔德 , 安德拉斯·库蒂 , 安德鲁三世·D·贝利 , 布彻·伯尼
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32477 , H01J37/32623
Abstract: 本发明披露了一种用于处理基片以在其上形成电子元件的等离子体处理室。该等离子体处理室包括具有在基片处理过程中面向等离子体处理室内的等离子体的面向等离子体的表面的面向等离子体元件。该面向等离子体元件与接地端子电绝缘。该等离子体处理室还包括连接到面向等离子体元件的接地装置，该接地装置包括设置在面向等离子体元件和接地端子之间的第一电流通路内的第一电阻电路。该接地装置还包括设置在面向等离子体元件和接地端子之间的至少其它一个电流通路内的RF滤波器装置，其中，选择第一电阻电路的阻抗值，以基本上消除在基片处理过程中等离子体和面向等离子体元件之间的电弧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102347210B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110044283.6
申请日：2007-08-28
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 约翰·博伊德 , 耶兹迪·多尔迪 , 蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 , 班杰明·W·莫琳 , 约翰·帕克斯 , 威廉·蒂 , 弗里茨·C·雷德克 , 阿瑟·M·霍瓦尔德 , 艾伦·舍普 , 戴维·黑梅克 , 卡尔·伍兹 , 横硕·亚历山大·允 , 亚历山大·奥夫恰雷斯
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/67017 , H01L21/67207 , H01L21/67745
Abstract: 本发明公开在衬底上进行填隙的方法。公开了一种用于在受控环境下填充衬底特征的方法，包括如下方法操作：在组合工具的第一腔室内在所述衬底上蚀刻一特征；在所述组合工具的第二腔室内沉积阻挡层，设置所述阻挡层以防止铜扩散入所述特征的暴露面；并且用直接沉积在所述阻挡层上方的填隙材料填充所述特征。还公开一种无需在衬底上应用籽晶层而执行填隙工艺的方法。
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公开(公告)号：CN101558186A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200780032409.X
申请日：2007-08-17
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/00
Abstract: 本发明提供生产金属－金属间或硅－金属间界面的工艺和集成系统，以提升铜布线的电迁移性能，提供较低的金属电阻率，并提升金属－金属间或硅－金属间的粘着性。提供一种在集成系统中，对基板表面进行预先处理，以在铜表面选择性地沉积一钴合金薄层从而提升铜布线的电子迁移性的方法。该方法包括：在集成系统中去除基板表面的有机污染物和金属氧化物，并在去除污染物和金属氧化物之后，在集成系统中修复该基板表面。该方法还包括在修复基板表面之后，在集成系统中，在铜布线的铜表面选择性地沉积一钴合金材料薄层。还提供一种实现上述方法的系统。
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公开(公告)号：CN101073085A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200580041912.2
申请日：2005-10-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿瑟·M·霍瓦尔德 , 安德拉斯·库蒂 , 安德鲁三世·D·贝利
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32183 , H01J37/3299 , H03H7/40 , H05H1/46
Abstract: 公开了一种用于改进对等离子体负载的RF功率传输稳定性的方法(806)。该方法包括：在RF电源系统中的一个指定位置添加RF阻抗电阻器和/或RF功率衰减器，以降低阻抗导数同时保持阻抗匹配电路与RF传输线阻抗的调谐(804)。
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