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公开(公告)号：CN101548030B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200780032492.0
申请日：2007-08-15
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/34
CPC classification number: H01L21/7685 , C23C18/1632 , C23C18/1651 , C23C18/1844 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/28518 , H01L21/288 , H01L21/32115 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L21/67161 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76862 , H01L21/76867 , H01L21/76871 , H01L21/76879
Abstract: 本发明的实施方式满足了在铜互连内沉积薄的和保形的阻挡层、以及铜层，使之具有良好的电子迁移性能并减小铜互连的应力诱发成孔的风险的需要。电子迁移和应力诱发成孔受阻挡层和铜层之间粘结的影响。功能化层沉积在阻挡层上，以使铜层沉积于该铜互连内。该功能化层与阻挡层和铜形成强键，以增强该两层之间的粘结属性。提供了一种示例性的制备基片的基片表面的方法，用于在铜互连的金属阻挡层上沉积功能化层，以帮助铜互连内铜层的沉积，从而提高铜互连的电子迁移性能。该方法包括沉积该金属阻挡层，以在该集成系统中内衬该铜互连结构，并氧化该金属阻挡层的表面。该方法还包括在该金属阻挡层的该氧化表面上沉积该功能化层，并在该功能化层在该金属阻挡层上被沉积后，在该铜互连结构内沉积该铜层。
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公开(公告)号：CN101529556B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200780040213.5
申请日：2007-08-28
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 约翰·博伊德 , 耶兹迪·多尔迪 , 蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 , 班杰明·W·莫琳 , 约翰·帕克斯 , 威廉·蒂 , 弗里茨·C·雷德克 , 阿瑟·M·霍瓦尔德 , 艾伦·舍普 , 戴维·黑梅克
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/67017 , H01L21/67207 , H01L21/67745
Abstract: 一种组合体系结构，包括与一个或多个衬底湿式处理模块耦合的实验室环境受控传输模块。该实验室环境受控传输模块和一个或多个衬底湿式处理模块管理第一周围环境，具有连接到该实验室环境受控传输模块和一个或多个等离子处理模块的真空传输模块。该真空传输模块与该一个或多个等离子体处理模块管理第二周围环境。与真空传输模块和一个或多个环境处理模块相耦合的受控环境传输模块管理第三周围环境。因此，该组合体系结构能够在第一、第二或第三周围环境下以及在相关的转换过程中可控地处理衬底。此外，实施例提供用于填充衬底沟槽的有效方法。
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公开(公告)号：CN101657886A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880012352.1
申请日：2008-04-11
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 威廉·蒂 , 约翰·M·博迪 , 弗里茨·C·雷德克 , 耶兹迪·多尔迪 , 约翰·帕克斯 , 蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 , 亚历山大·奥夫恰茨 , 托德·巴力斯基 , 克林特·托马斯 , 雅各布·卫理 , 艾伦·M·舍普
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , H01L21/76873
Abstract: 揭露一种用于晶片无电镀覆的干进/干出系统。该系统包括用于晶片进入/退出和干燥操作的上部区域。在该上部区域中提供邻近头以执行该干燥操作。该系统还包括用于无电镀覆操作的下部区域。该下部区域包括无电镀覆装置，其通过流体上涌方法实现晶片的浸没。该系统的上部和下部区域由双壁室包围，其中该内壁是化学惰性塑料的而该外部壁是结构金属。该系统与流体处置系统接口，该流体处置系统向该系统提供必要的化学制品供应和控制。该系统是可控环境的。而且，该系统与环境可控的可管理传送模块(MTM)接口。
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公开(公告)号：CN101529556A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780040213.5
申请日：2007-08-28
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 约翰·博伊德 , 耶兹迪·多尔迪 , 蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 , 班杰明·W·莫琳 , 约翰·帕克斯 , 威廉·蒂 , 弗里茨·C·雷德克 , 阿瑟·M·霍瓦尔德 , 艾伦·舍普 , 戴维·默梅克
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/67017 , H01L21/67207 , H01L21/67745
Abstract: 一种组合体系结构，包括与一个或多个衬底湿式处理模块耦合的实验室环境受控传输模块。该实验室环境受控传输模块和一个或多个衬底湿式处理模块管理第一周围环境，具有连接到该实验室环境受控传输模块和一个或多个等离子处理模块的真空传输模块。该真空传输模块与该一个或多个等离子体处理模块管理第二周围环境。与真空传输模块和一个或多个环境处理模块相耦合的受控环境传输模块管理第三周围环境。因此，该组合体系结构能够在第一、第二或第三周围环境下以及在相关的转换过程中可控地处理衬底。此外，实施例提供用于填充衬底沟槽的有效方法。
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公开(公告)号：CN103107120B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310011701.0
申请日：2007-08-17
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/768 , C23C14/14 , C23C16/00
Abstract: 本发明提供对基板表面做预先处理以进行金属沉积的工艺和集成系统，以提升铜布线的电迁移性能，提供较低的金属电阻率，并提升金属-金属间或硅-金属间的粘着性。提供一种在集成系统中，对基板表面进行预先处理，以在铜表面选择性地沉积钴合金薄层从而提升铜布线的电子迁移性的方法。该方法包括：在集成系统中去除基板表面的有机污染物和金属氧化物，并在去除污染物和金属氧化物之后，在集成系统中修复该基板表面。该方法还包括在修复基板表面之后，在集成系统中，在铜布线的铜表面选择性地沉积钴合金材料薄层。还提供一种实现上述方法的系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103107120A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310011701.0
申请日：2007-08-17
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/768 , C23C14/14 , C23C16/00
Abstract: 本发明提供对基板表面做预先处理以进行金属沉积的工艺和集成系统，以提升铜布线的电迁移性能，提供较低的金属电阻率，并提升金属-金属间或硅-金属间的粘着性。提供一种在集成系统中，对基板表面进行预先处理，以在铜表面选择性地沉积钴合金薄层从而提升铜布线的电子迁移性的方法。该方法包括：在集成系统中去除基板表面的有机污染物和金属氧化物，并在去除污染物和金属氧化物之后，在集成系统中修复该基板表面。该方法还包括在修复基板表面之后，在集成系统中，在铜布线的铜表面选择性地沉积钴合金材料薄层。还提供一种实现上述方法的系统。
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公开(公告)号：CN101663737B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200880012422.3
申请日：2008-04-11
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 威廉·蒂 , 约翰·M·博迪 , 弗里茨·C·雷德克 , 耶兹迪·多尔迪 , 约翰·帕克斯 , 蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 , 亚历山大·奥夫恰茨 , 托德·巴力斯基 , 克林特·托马斯 , 雅各布·卫理 , 艾伦·M·舍普
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C18/1619 , H01L21/67005 , H01L21/6715
Abstract: 一种半导体晶片无电镀设备包括压板和溶槽。该压板具有限定为支撑晶片的顶部表面，和从该顶部表面的边缘向下延伸至该压板的下表面的外部表面。该溶槽具有由内部表面限定的内部容积，以便在该内部容积内接收该压板和待支撑在其上的晶片。密封件围绕该溶槽的内部表面设置以便当啮合在该溶槽的该内部表面和该压板的该外部表面之间时形成液密密封阻挡。若干流体分配喷嘴设置为在该密封件上方、该溶槽内分配点入溶液，以便升高和淹没该该压板，由此当该晶片存在于该压板上时淹没该晶片。
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公开(公告)号：CN101547746B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200780045132.4
申请日：2007-09-11
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: C23C18/1617 , C23C18/163 , C23C18/1678 , H01L21/67092
Abstract: 提供一种无电电镀系统。该系统包括第一真空吸盘，用以支撑第一晶圆；以及第二真空吸盘，用以支撑第二晶圆，以使该第二晶圆的上表面与该第一晶圆的上表面相对。该系统还包括流体输送系统，被配置为将电镀液输送至该第一晶圆的上表面，其中响应该电镀液的输送，使该第二晶圆的上表面接近该第一晶圆的上表面，以使该电镀液接触两个上表面。还提供一种将无电电镀液施加至基板上的方法。
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公开(公告)号：CN101872721A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010190018.4
申请日：2007-03-27
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/321 , H01L21/00 , C25F7/00
Abstract: 提供用于执行半导体晶片的受限区域平坦化的临近头和相关使用方法。该临近头包括限定为保持电解液的室。阴极设置在该室内并暴露于该电解液。阳离子交换隔膜设在该室的下部开口上，从而该阳离子交换隔膜的顶部表面直接暴露于保持在该室内的电解液。该临近头还包括流体供应通道，限定为驱除流体到邻近该阳离子交换隔膜下部表面的位置。另外，真空通道限定为在邻近该阳离子交换隔膜下部表面的位置提供吸力，从而使从该流体供应通道驱除的流体在该阳离子交换隔膜的下部表面上流动。
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公开(公告)号：CN101711423A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200880018416.9
申请日：2008-03-27
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 埃里克·M·弗里尔 , 约翰·M·德拉里奥斯 , 迈克尔·拉夫金 , 米哈伊尔·科罗利克 , 弗里茨·C·雷德克
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B08B3/12 , H01L21/67051 , H01L21/67057
Abstract: 提供用于清洁粘着于晶片表面的微粒污染物的系统和方法。包括悬浮于清洁剂中的分散的耦合组分的清洁剂被施加到晶片表面上。外部能量被施加到该清洁剂以在该清洁剂内产生周期性的切变应力。该周期性的切变应力在该耦合组分上施加力，使得该耦合组分与该微粒污染物互相作用以从该晶片表面除去该微粒污染物。
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