公开(公告)号：CN101351281A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200680049954.5

申请日：2006-12-18

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 埃里克·M·弗里尔 ,  约翰·M·德拉里奥斯 ,  卡特里娜·米哈利钦科 ,  迈克尔·拉夫金 ,  米哈伊尔·科罗利克 ,  弗里茨·C·雷德克

IPC: B08B3/00

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05D3/10 ,  C11D3/14 ,  C11D11/0047 ,  C11D17/0004 ,  C11D17/0013 ,  C23G1/00 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/67051

Abstract: 方法和系统，用于清洁基片特征的表面，该表面上具有颗粒物质，具有夹带在其中的耦合元件的射流撞击该表面。将足够的拖曳力传递到该耦合元件以使其关于该液体移动并且导致该颗粒物质相对于该基片移动。

公开(公告)号：CN101828252B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200880113115.4

申请日：2008-10-15

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 约翰·M·德拉里奥斯 ,  埃里克·M·弗里尔 ,  迈克尔·拉夫金 ,  杰弗里·马克斯

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: 提供用于清洁晶片表面、尤其是图案化晶片的表面的方法和设备。该清洁设备包括在面向该图案化晶片的表面上具有通道的清洁头，该晶片具有占主导地位的图案。流过该通道的清洁材料在图案化晶片的表面施加剪切力，其晶片的方位设为相对该清洁头的一定方向。该剪切力、该图案化晶片的一定方向和该清洁头提高该表面污染物的去除效率。

公开(公告)号：CN101512049A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200680050094.7

申请日：2006-12-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 埃里克·M·弗里尔 ,  约翰·M·德拉里奥斯 ,  卡特里娜·米哈利钦科 ,  迈克尔·拉夫金 ,  米哈伊尔·科罗利克 ,  弗雷德·C·雷德克

IPC: C25F1/00

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05D3/10 ,  C11D3/14 ,  C11D11/0047 ,  C11D17/0004 ,  C11D17/0013 ,  C23G1/00 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/67051

Abstract: 提供一种用于清洁基片的方法。该方法以将其中具有固体成分的流体层设在该基片的表面为起始。然后产生基本上平行于该基片表面并且朝向该基片外缘的剪切力。在一个实施方式中该剪切力是由施加在与该流体层接触的固体上的力的法向或切线分量形成的。清洗该基片表面以去除该流体层。

公开(公告)号：CN101351282B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN200680050024.1

申请日：2006-12-08

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 埃里克·M·弗里尔 ,  约翰·M·德拉里奥斯 ,  卡特里娜·米哈利钦科 ,  迈克尔·拉夫金 ,  米哈伊尔·科罗利克 ,  弗雷德·C·雷德克 ,  克林特·托马斯 ,  约翰·帕克斯

IPC: B08B7/00

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05D3/10 ,  C11D3/14 ,  C11D11/0047 ,  C11D17/0004 ,  C11D17/0013 ,  C23G1/00 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/67051

Abstract: 清洁材料设置在基片上。该清洁材料包括分散在液体媒介内的固体成分。力施加到该液体媒介内的固体成分上以使该固体成分接近该基片上存在的污染物。施加到该固体成分上的力可由该液体媒介内的不溶成分施加。当使该固体成分足够接近该污染物时，在该固体成分和该污染物之间建立相互作用。然后，移动该固体成分远离该基片从而将与该固体成分相互作用的该污染物从该基片去除。

公开(公告)号：CN101828252A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200880113115.4

申请日：2008-10-15

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 约翰·M·德拉里奥斯 ,  埃里克·M·弗里尔 ,  迈克尔·拉夫金 ,  杰弗里·马克斯

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: 提供用于清洁晶片表面、尤其是图案化晶片的表面的方法和设备。该清洁设备包括在面向该图案化晶片的表面上具有通道的清洁头，该晶片具有占主导地位的图案。流过该通道的清洁材料在图案化晶片的表面施加剪切力，其晶片的方位设为相对该清洁头的一定方向。该剪切力、该图案化晶片的一定方向和该清洁头提高该表面污染物的去除效率。

公开(公告)号：CN101711423A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200880018416.9

申请日：2008-03-27

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 埃里克·M·弗里尔 ,  约翰·M·德拉里奥斯 ,  迈克尔·拉夫金 ,  米哈伊尔·科罗利克 ,  弗里茨·C·雷德克

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B08B3/12 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057

Abstract: 提供用于清洁粘着于晶片表面的微粒污染物的系统和方法。包括悬浮于清洁剂中的分散的耦合组分的清洁剂被施加到晶片表面上。外部能量被施加到该清洁剂以在该清洁剂内产生周期性的切变应力。该周期性的切变应力在该耦合组分上施加力，使得该耦合组分与该微粒污染物互相作用以从该晶片表面除去该微粒污染物。

公开(公告)号：CN101351281B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200680049954.5

申请日：2006-12-18

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 埃里克·M·弗里尔 ,  约翰·M·德拉里奥斯 ,  卡特里娜·米哈利钦科 ,  迈克尔·拉夫金 ,  米哈伊尔·科罗利克 ,  弗里茨·C·雷德克

IPC: B08B3/00

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05D3/10 ,  C11D3/14 ,  C11D11/0047 ,  C11D17/0004 ,  C11D17/0013 ,  C23G1/00 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/67051

Abstract: 方法和系统，用于清洁基片特征的表面，该表面上具有颗粒物质，具有夹带在其中的耦合元件的射流撞击该表面。将足够的拖曳力传递到该耦合元件以使其关于该液体移动并且导致该颗粒物质相对于该基片移动。

公开(公告)号：CN101370885B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200680048939.9

申请日：2006-12-19

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 米哈伊尔·科罗利克 ,  埃里克·M·弗里尔 ,  约翰·M·德拉里奥斯 ,  卡特里娜·米哈利钦科 ,  迈克·拉夫金 ,  弗雷德·雷德克

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05D3/10 ,  C11D3/14 ,  C11D11/0047 ,  C11D17/0004 ,  C11D17/0013 ,  C23G1/00 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/67051

Abstract: 提供清洁混合物、装置以及方法以从基片表面去除污染物。提供一种示范性的清洁混合物，以从半导体基片表面去除粒子污染物。该清洁混合物包括粘性流体，其粘度在大约1cP到大约10,000cP之间。该清洁混合物还包括分散在该粘性流体中的多个固体成分，该多个固体成分与该粒子基片表面上的污染物相互作用以从该基片表面去除该粒子污染物。

公开(公告)号：CN101606230B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200880004543.3

申请日：2008-01-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 卡特里娜·米哈利钦科 ,  弗里茨·雷德克 ,  埃里克·M·弗里尔 ,  米哈伊尔·科罗利克 ,  约翰·M·德拉里奥斯 ,  迈克·拉维肯

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02057 ,  C25D5/34 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/76841

Abstract: 使用邻近头准备基片表面的装置、系统和方法包括在该基片的表面和该邻近头的头部表面之间施加非牛顿流体。该非牛顿流体沿着该头部表面和该基片的表面之间的一个或多个侧面限定容纳壁。具有该非牛顿流体的该一个或多个侧面在该头部表面和该基片的表面之间的该基片上限定处理区域。通过该邻近头向该基片的表面施加牛顿流体，以便所施加的牛顿流体大体上被保持在由该容纳壁限定的该处理区域内。该牛顿流体帮助从该基片的表面除去一种或多种污染物。在一个实施例中，该非牛顿流体还可用于创建环境可控隔离区域，其可以帮助控制该区域内的表面的可控处理。在一个替代实施例中，向该处理区域施加第二非牛顿流体而非该牛顿流体。该第二非牛顿流体作用于该基片的表面上的一种或多种污染物并大体上从该基片的表面除去它们。

公开(公告)号：CN101711423B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200880018416.9

申请日：2008-03-27

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 埃里克·M·弗里尔 ,  约翰·M·德拉里奥斯 ,  迈克尔·拉夫金 ,  米哈伊尔·科罗利克 ,  弗里茨·C·雷德克

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B08B3/12 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057

Abstract: 提供用于清洁粘着于晶片表面的微粒污染物的系统和方法。包括悬浮于清洁剂中的分散的耦合组分的清洁剂被施加到晶片表面上。外部能量被施加到该清洁剂以在该清洁剂内产生周期性的切变应力。该周期性的切变应力在该耦合组分上施加力，使得该耦合组分与该微粒污染物互相作用以从该晶片表面除去该微粒污染物。