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公开(公告)号：CN101606230B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200880004543.3
申请日：2008-01-22
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 卡特里娜·米哈利钦科 , 弗里茨·雷德克 , 埃里克·M·弗里尔 , 米哈伊尔·科罗利克 , 约翰·M·德拉里奥斯 , 迈克·拉维肯
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02057 , C25D5/34 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , H01L21/6708 , H01L21/67086 , H01L21/76841
Abstract: 使用邻近头准备基片表面的装置、系统和方法包括在该基片的表面和该邻近头的头部表面之间施加非牛顿流体。该非牛顿流体沿着该头部表面和该基片的表面之间的一个或多个侧面限定容纳壁。具有该非牛顿流体的该一个或多个侧面在该头部表面和该基片的表面之间的该基片上限定处理区域。通过该邻近头向该基片的表面施加牛顿流体，以便所施加的牛顿流体大体上被保持在由该容纳壁限定的该处理区域内。该牛顿流体帮助从该基片的表面除去一种或多种污染物。在一个实施例中，该非牛顿流体还可用于创建环境可控隔离区域，其可以帮助控制该区域内的表面的可控处理。在一个替代实施例中，向该处理区域施加第二非牛顿流体而非该牛顿流体。该第二非牛顿流体作用于该基片的表面上的一种或多种污染物并大体上从该基片的表面除去它们。
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公开(公告)号：CN101730929B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200880023363.X
申请日：2008-05-02
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02074
Abstract: 提供在化学机械抛光之后清洁半导体晶片的方法。一种示例性的方法将晶片先后暴露于氧化环境和还原环境中的热处理。在该氧化环境的热处理除去残留物并氧化暴露的铜表面以形成氧化铜层。然后在该还原环境中的热处理将氧化铜还原为元素铜。这使得暴露的铜很清洁并适于进一步处理，比如无电镀覆。
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公开(公告)号：CN101730929A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200880023363.X
申请日：2008-05-02
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02074
Abstract: 提供在化学机械抛光之后清洁半导体晶片的方法。一种示例性的方法将晶片先后暴露于氧化环境和还原环境中的热处理。在该氧化环境的热处理除去残留物并氧化暴露的铜表面以形成氧化铜层。然后在该还原环境中的热处理将氧化铜还原为元素铜。这使得暴露的铜很清洁并适于进一步处理，比如无电镀覆。
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公开(公告)号：CN101611169A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200780051465.8
申请日：2007-12-12
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: C23C18/1689 , C23C18/161 , C23C18/1653 , C23C18/1658 , C23C18/1683 , C23C18/31 , H01L21/288 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供一种自限制化学镀方法，以镀具有改进的均匀性的膜。该方法包括将化学镀溶液分配到基底上，以便形成静止的溶液层，通过氧化还原反应从该静止的溶液层将共形的镀层镀到基底表面上。氧化还原反应在基底的表面上还原剂离子和镀离子之间发生，并产生被氧化离子。因为溶液是静止的，所以在邻近该表面的溶液层内形成边界层。边界层的特征在于被氧化离子的浓度梯度，还原剂离子的扩散通过边界层控制了氧化还原反应。可以维持静止的溶液层，直至基本上耗尽在溶液层中的还原剂离子。
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公开(公告)号：CN102741972B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201080062696.0
申请日：2010-12-10
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/1642 , C23C18/1689 , C23C18/1872 , H01L21/76849
Abstract: 用于通过包括集成无电沉积工艺的工艺处理衬底的方法和系统包括在无电沉积模块中处理所述衬底的表面以用沉积流体在所述衬底的导电特征上方沉积层。接着在所述无电沉积模块中用漂洗流体漂洗所述衬底的所述表面。所述漂洗是受控的以防止所述表面的去湿使得由所述漂洗流体限定的转移膜仍然被涂布在所述衬底的所述表面上。所述衬底从所述无电沉积模块被移除，同时将所述转移膜保持在所述衬底的所述表面上。所述衬底的所述表面上的所述转移膜防止所述衬底的所述表面的干燥使得所述移除是湿润的。所述衬底一旦从所述无电沉积模块被移除，其便被移动到后沉积模块中，同时在所述衬底的所述表面上保持所述转移膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102061469B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201010609964.8
申请日：2007-12-08
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: C23C8/02 , C23C8/80 , C23C10/02 , C23C10/60 , C23C16/54 , C23C16/56 , C23C18/1601 , C23C18/1632 , C23C18/54 , C23C26/00 , C23C28/023 , C23C28/322 , C23C28/34 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01L21/67161 , H01L21/67207 , H01L21/76855 , H01L21/76861 , H01L21/76862 , H01L21/76873
Abstract: 本发明有关于制造半导体器件的方法和系统。本发明的一个方面是在阻障层上沉积填充铜层以进行半导体器件金属化的方法。在一个实施方式中，该方法包含在基板的表面形成该阻障层并对该阻障层施加工艺条件以在该阻障层上形成可除去的钝化表面。该方法进一步包含从该阻障层上除去该钝化表面以及在该阻障层上沉积该填隙铜层。本发明的另一个方面是在阻障层上沉积填充铜层以进行半导体器件金属化的集成系统。在一个实施方式中，该集成系统包含至少一个工艺模块，被配置为阻障层沉积和钝化表面形成以及至少另一个工艺模块，被配置为除去钝化表面和在该阻障层上沉积铜。该系统进一步包含至少一个耦合的以便该基板能够在该模块之间传送而大体上不暴露于含氧环境。
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公开(公告)号：CN102061470B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201010609996.8
申请日：2007-12-08
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: C23C8/02 , C23C8/80 , C23C10/02 , C23C10/60 , C23C16/54 , C23C16/56 , C23C18/1601 , C23C18/1632 , C23C18/54 , C23C26/00 , C23C28/023 , C23C28/322 , C23C28/34 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01L21/67161 , H01L21/67207 , H01L21/76855 , H01L21/76861 , H01L21/76862 , H01L21/76873
Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法和系统。本发明的一个方面是在阻障层上沉积填充铜层以进行半导体器件金属化的方法。在一个实施方式中，该方法包含在基板的表面形成该阻障层并对该阻障层施加工艺条件以在该阻障层上形成可除去的钝化表面。该方法进一步包含从该阻障层上除去该钝化表面以及在该阻障层上沉积该填隙铜层。本发明的另一个方面是在阻障层上沉积填充铜层以进行半导体器件金属化的集成系统。在一个实施方式中，该集成系统包含至少一个工艺模块，被配置为阻障层沉积和钝化表面形成以及至少另一个工艺模块，被配置为除去钝化表面和在该阻障层上沉积铜。该系统进一步包含至少一个耦合的以便该基板能够在该模块之间传送而大体上不暴露于含氧环境。
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公开(公告)号：CN102061469A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010609964.8
申请日：2007-12-08
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: C23C8/02 , C23C8/80 , C23C10/02 , C23C10/60 , C23C16/54 , C23C16/56 , C23C18/1601 , C23C18/1632 , C23C18/54 , C23C26/00 , C23C28/023 , C23C28/322 , C23C28/34 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01L21/67161 , H01L21/67207 , H01L21/76855 , H01L21/76861 , H01L21/76862 , H01L21/76873
Abstract: 本发明有关于制造半导体器件的方法和系统。本发明的一个方面是在阻障层上沉积填充铜层以进行半导体器件金属化的方法。在一个实施方式中，该方法包含在基板的表面形成该阻障层并对该阻障层施加工艺条件以在该阻障层上形成可除去的钝化表面。该方法进一步包含从该阻障层上除去该钝化表面以及在该阻障层上沉积该填隙铜层。本发明的另一个方面是在阻障层上沉积填充铜层以进行半导体器件金属化的集成系统。在一个实施方式中，该集成系统包含至少一个工艺模块，被配置为阻障层沉积和钝化表面形成以及至少另一个工艺模块，被配置为除去钝化表面和在该阻障层上沉积铜。该系统进一步包含至少一个耦合的以便该基板能够在该模块之间传送而大体上不暴露于含氧环境。
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公开(公告)号：CN101595550A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200780040881.8
申请日：2007-10-18
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/029 , C23C16/34 , C23C16/45529 , H01L21/02183 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/3141 , H01L21/318 , H01L21/76843 , H01L21/76846
Abstract: 本发明的各种实施方式提供了改进的工艺和系统，该工艺和系统生产具有随着薄膜厚度的增加而减少的氮浓度的阻障层。具有随着薄膜厚度的增加而减少的氮浓度的阻障层使得具有高氮浓度的阻障层末端与电介质层有良好的粘着性，且具有低氮浓度(或富含金属)的阻障层末端与铜有良好的粘着性。提供一种在互连结构上沉积阻障层的方法。该方法包括(a)提供原子层沉积环境，(b)在该原子层沉积环境中，在第一相位沉积期间，在该互连结构上沉积具有第一氮浓度的阻障层。该方法还包括(c)在该原子层沉积环境中，在第二相位沉积期间，继续在该互连结构上沉积具有第二氮浓度的阻障层。
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公开(公告)号：CN101568990A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200780047579.5
申请日：2007-12-20
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/70 , C23C16/045 , C23C16/4586 , H01L21/67017 , H01L21/677 , H01L21/6838 , H01L21/68714 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , Y10T24/44 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于制造三维集成电路的方法、装置和系统。该方法的一个实施方式包含提供具有多个透孔的晶片。而且，该方法包括使用设置于工艺室内的晶片夹具支撑该晶片。该方法进一步包括当该晶片被支撑于该晶片夹具上时，在该晶片的正面和该晶片的背面之间产生压力差，以便该压力差使得流体通过该透孔流动。而且，该方法包括在该工艺室中为制造集成电路的至少一个工艺创建工艺条件。还提出了依照本发明的系统的实施方式和装置的实施方式。
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