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公开(公告)号：CN103887227B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201310713240.1
申请日：2013-12-20
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 李南海 , 威廉·蒂 , 诺维·撒斯特拉维迪·佐克罗 , 王亚新 , 阿图尔·柯利奇
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/02068 , H01L21/3105 , H01L21/76828 , H01L21/76849 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及通过热处理和/或溶剂处理恢复多孔电介质k值，具体提供一种用于在多孔低k电介质层下的衬底上形成半导体设备的方法，其中，将特征形成在所述多孔低k电介质层中，且其中，使障碍层形成在所述多孔低k电介质层上。在特征中形成触点。将障碍层平面化。在触点上形成盖层，其中，形成所述盖层在所述多孔低k电介质层中提供金属和有机污染物。用第一湿法工艺从多孔低k电介质层去除金属污染物。用第二湿法工艺从多孔低k电介质层去除有机成分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102741972A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201080062696.0
申请日：2010-12-10
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/1642 , C23C18/1689 , C23C18/1872 , H01L21/76849
Abstract: 用于通过包括集成无电沉积工艺的工艺处理衬底的方法和系统包括在无电沉积模块中处理所述衬底的表面以用沉积流体在所述衬底的导电特征上方沉积层。接着在所述无电沉积模块中用漂洗流体漂洗所述衬底的所述表面。所述漂洗是受控的以防止所述表面的去湿使得由所述漂洗流体限定的转移膜仍然被涂布在所述衬底的所述表面上。所述衬底从所述无电沉积模块被移除，同时将所述转移膜保持在所述衬底的所述表面上。所述衬底的所述表面上的所述转移膜防止所述衬底的所述表面的干燥使得所述移除是湿润的。所述衬底一旦从所述无电沉积模块被移除，其便被移动到后沉积模块中，同时在所述衬底的所述表面上保持所述转移膜。
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公开(公告)号：CN105296971B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201510307017.6
申请日：2015-06-05
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/1637 , C23C18/1655 , C23C18/34 , C23C18/40 , C23C18/44 , C23C18/50 , C23C18/52
Abstract: 本发明涉及利用至少两种硼烷还原剂进行无电镀敷，具体提供了一种用于提供在衬底上的无电沉积的金属层的溶液。提供一种溶剂。金属前体被提供到溶剂中。第一含硼烷还原剂被提供到溶剂中。第二含硼烷还原剂被提供给溶剂，其中第一含硼烷还原剂的沉积速率为第二含硼烷还原剂的沉积速率的至少五倍，并且其中所述溶液不含非硼烷还原剂。
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公开(公告)号：CN105296971A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510307017.6
申请日：2015-06-05
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/1637 , C23C18/1655 , C23C18/34 , C23C18/40 , C23C18/44 , C23C18/50 , C23C18/52
Abstract: 本发明涉及利用至少两种硼烷还原剂进行无电镀敷，具体提供了一种用于提供在衬底上的无电沉积的金属层的溶液。提供一种溶剂。金属前体被提供到溶剂中。第一含硼烷还原剂被提供到溶剂中。第二含硼烷还原剂被提供给溶剂，其中第一含硼烷还原剂的沉积速率为第二含硼烷还原剂的沉积速率的至少五倍，并且其中所述溶液不含非硼烷还原剂。
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公开(公告)号：CN102741972B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201080062696.0
申请日：2010-12-10
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/1642 , C23C18/1689 , C23C18/1872 , H01L21/76849
Abstract: 用于通过包括集成无电沉积工艺的工艺处理衬底的方法和系统包括在无电沉积模块中处理所述衬底的表面以用沉积流体在所述衬底的导电特征上方沉积层。接着在所述无电沉积模块中用漂洗流体漂洗所述衬底的所述表面。所述漂洗是受控的以防止所述表面的去湿使得由所述漂洗流体限定的转移膜仍然被涂布在所述衬底的所述表面上。所述衬底从所述无电沉积模块被移除，同时将所述转移膜保持在所述衬底的所述表面上。所述衬底的所述表面上的所述转移膜防止所述衬底的所述表面的干燥使得所述移除是湿润的。所述衬底一旦从所述无电沉积模块被移除，其便被移动到后沉积模块中，同时在所述衬底的所述表面上保持所述转移膜。
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公开(公告)号：CN103887227A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310713240.1
申请日：2013-12-20
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 李南海 , 威廉·蒂 , 诺维·撒斯特拉维迪·佐克罗 , 王亚新 , 阿图尔·柯利奇
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/02068 , H01L21/3105 , H01L21/76828 , H01L21/76849 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及通过热处理和/或溶剂处理恢复多孔电介质k值，具体提供一种用于在多孔低k电介质层下的衬底上形成半导体设备的方法，其中，将特征形成在所述多孔低k电介质层中，且其中，使障碍层形成在所述多孔低k电介质层上。在特征中形成触点。将障碍层平面化。在触点上形成盖层，其中，形成所述盖层在所述多孔低k电介质层中提供金属和有机污染物。用第一湿法工艺从多孔低k电介质层去除金属污染物。用第二湿法工艺从多孔低k电介质层去除有机成分。
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