公开(公告)号：CN103887227A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310713240.1

申请日：2013-12-20

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 李南海 ,  威廉·蒂 ,  诺维·撒斯特拉维迪·佐克罗 ,  王亚新 ,  阿图尔·柯利奇

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及通过热处理和/或溶剂处理恢复多孔电介质k值，具体提供一种用于在多孔低k电介质层下的衬底上形成半导体设备的方法，其中，将特征形成在所述多孔低k电介质层中，且其中，使障碍层形成在所述多孔低k电介质层上。在特征中形成触点。将障碍层平面化。在触点上形成盖层，其中，形成所述盖层在所述多孔低k电介质层中提供金属和有机污染物。用第一湿法工艺从多孔低k电介质层去除金属污染物。用第二湿法工艺从多孔低k电介质层去除有机成分。

公开(公告)号：CN103887227B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201310713240.1

申请日：2013-12-20

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 李南海 ,  威廉·蒂 ,  诺维·撒斯特拉维迪·佐克罗 ,  王亚新 ,  阿图尔·柯利奇

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及通过热处理和/或溶剂处理恢复多孔电介质k值，具体提供一种用于在多孔低k电介质层下的衬底上形成半导体设备的方法，其中，将特征形成在所述多孔低k电介质层中，且其中，使障碍层形成在所述多孔低k电介质层上。在特征中形成触点。将障碍层平面化。在触点上形成盖层，其中，形成所述盖层在所述多孔低k电介质层中提供金属和有机污染物。用第一湿法工艺从多孔低k电介质层去除金属污染物。用第二湿法工艺从多孔低k电介质层去除有机成分。