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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101467232A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780021363.1
申请日：2007-06-09
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿尔图尔·科利奇 , 李南海 , 玛丽娜·波利扬斯基亚 , 马克·韦斯 , 詹森·科尔内耶
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76861 , B08B3/04 , C11D7/08 , C11D7/22 , C11D7/32 , H01L21/31053 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L21/76849 , H01L21/76862 , H01L21/76864
Abstract: 半导体系统包括：提供介电层(104)；在该介电层(104)内提供导体(108)，该导体(108)暴露在该介电层(104)的顶部；覆盖(capping)该暴露的导体(108)；以及改变该介电层(104)的表面，改变该介电层(104)的表面，其中改变该表面包括：通过将该导体(108)溶解在低pH溶液中而将该导体(108)离子从该介电层(104)清洁掉、溶解该导体(108)离子下方的介电层(104)、机械增强清洁或用化学方法吸附在该介电层(104)上的疏水层(800)。
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公开(公告)号：CN105296971B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201510307017.6
申请日：2015-06-05
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/1637 , C23C18/1655 , C23C18/34 , C23C18/40 , C23C18/44 , C23C18/50 , C23C18/52
Abstract: 本发明涉及利用至少两种硼烷还原剂进行无电镀敷，具体提供了一种用于提供在衬底上的无电沉积的金属层的溶液。提供一种溶剂。金属前体被提供到溶剂中。第一含硼烷还原剂被提供到溶剂中。第二含硼烷还原剂被提供给溶剂，其中第一含硼烷还原剂的沉积速率为第二含硼烷还原剂的沉积速率的至少五倍，并且其中所述溶液不含非硼烷还原剂。
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公开(公告)号：CN105296971A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510307017.6
申请日：2015-06-05
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/1637 , C23C18/1655 , C23C18/34 , C23C18/40 , C23C18/44 , C23C18/50 , C23C18/52
Abstract: 本发明涉及利用至少两种硼烷还原剂进行无电镀敷，具体提供了一种用于提供在衬底上的无电沉积的金属层的溶液。提供一种溶剂。金属前体被提供到溶剂中。第一含硼烷还原剂被提供到溶剂中。第二含硼烷还原剂被提供给溶剂，其中第一含硼烷还原剂的沉积速率为第二含硼烷还原剂的沉积速率的至少五倍，并且其中所述溶液不含非硼烷还原剂。
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公开(公告)号：CN102522368A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110410137.0
申请日：2007-06-09
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿尔图尔·科利奇 , 李南海 , 玛丽娜·波利扬斯基亚 , 马克·韦斯 , 詹森·科尔内耶
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76861 , B08B3/04 , C11D7/08 , C11D7/22 , C11D7/32 , H01L21/31053 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L21/76849 , H01L21/76862 , H01L21/76864
Abstract: 用于使污染及表面退化最小化的中间介电层的表面改变。半导体系统包括：提供介电层(104)；在该介电层(104)内提供导体(108)，该导体(108)暴露在该介电层(104)的顶部；覆盖(capping)该暴露的导体(108)；以及改变该介电层(104)的表面，改变该介电层(104)的表面，其中改变该表面包括：通过将该导体(108)溶解在低pH溶液中而将该导体(108)离子从该介电层(104)清洁掉、溶解该导体(108)离子下方的介电层(104)、机械增强清洁或用化学方法吸附在该介电层(104)上的疏水层(800)。
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公开(公告)号：CN101467232B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200780021363.1
申请日：2007-06-09
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿尔图尔·科利奇 , 李南海 , 玛丽娜·波利扬斯基亚 , 马克·韦斯 , 詹森·科尔内耶
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76861 , B08B3/04 , C11D7/08 , C11D7/22 , C11D7/32 , H01L21/31053 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L21/76849 , H01L21/76862 , H01L21/76864
Abstract: 半导体系统包括：提供介电层(104)；在该介电层(104)内提供导体(108)，该导体(108)暴露在该介电层(104)的顶部；覆盖(capping)该暴露的导体(108)；以及改变该介电层(104)的表面，改变该介电层(104)的表面，其中改变该表面包括：通过将该导体(108)溶解在低pH溶液中而将该导体(108)离子从该介电层(104)清洁掉、溶解该导体(108)离子下方的介电层(104)、机械增强清洁或用化学方法吸附在该介电层(104)上的疏水层(800)。
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