公开(公告)号：CN101730929B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880023363.X

申请日：2008-05-02

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 王忠辉 ,  蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 ,  弗里茨·雷德克 ,  耶兹迪·多尔迪 ,  约翰·博递 ,  米哈伊尔·科罗利克 ,  阿瑟霍·M·瓦尔德 ,  威廉·蒂 ,  普拉文·纳拉

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02074

Abstract: 提供在化学机械抛光之后清洁半导体晶片的方法。一种示例性的方法将晶片先后暴露于氧化环境和还原环境中的热处理。在该氧化环境的热处理除去残留物并氧化暴露的铜表面以形成氧化铜层。然后在该还原环境中的热处理将氧化铜还原为元素铜。这使得暴露的铜很清洁并适于进一步处理，比如无电镀覆。

公开(公告)号：CN101730929A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200880023363.X

申请日：2008-05-02

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 王忠辉 ,  蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 ,  弗里茨·雷德克 ,  耶兹迪·多尔迪 ,  约翰·博递 ,  米哈伊尔·科罗利克 ,  阿瑟霍·M·瓦尔德 ,  威廉·蒂 ,  普拉文·纳拉

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02074

Abstract: 提供在化学机械抛光之后清洁半导体晶片的方法。一种示例性的方法将晶片先后暴露于氧化环境和还原环境中的热处理。在该氧化环境的热处理除去残留物并氧化暴露的铜表面以形成氧化铜层。然后在该还原环境中的热处理将氧化铜还原为元素铜。这使得暴露的铜很清洁并适于进一步处理，比如无电镀覆。

公开(公告)号：CN101611169A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200780051465.8

申请日：2007-12-12

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 约翰·博递 ,  耶兹迪·多尔迪 ,  蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 ,  威廉·蒂 ,  弗里茨·雷德克 ,  普拉文·纳拉

IPC: C23C18/31 ,  C23C18/18

CPC classification number: C23C18/1689 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/1683 ,  C23C18/31 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种自限制化学镀方法，以镀具有改进的均匀性的膜。该方法包括将化学镀溶液分配到基底上，以便形成静止的溶液层，通过氧化还原反应从该静止的溶液层将共形的镀层镀到基底表面上。氧化还原反应在基底的表面上还原剂离子和镀离子之间发生，并产生被氧化离子。因为溶液是静止的，所以在邻近该表面的溶液层内形成边界层。边界层的特征在于被氧化离子的浓度梯度，还原剂离子的扩散通过边界层控制了氧化还原反应。可以维持静止的溶液层，直至基本上耗尽在溶液层中的还原剂离子。