公开(公告)号：CN101730929B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880023363.X

申请日：2008-05-02

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 王忠辉 ,  蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 ,  弗里茨·雷德克 ,  耶兹迪·多尔迪 ,  约翰·博递 ,  米哈伊尔·科罗利克 ,  阿瑟霍·M·瓦尔德 ,  威廉·蒂 ,  普拉文·纳拉

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02074

Abstract: 提供在化学机械抛光之后清洁半导体晶片的方法。一种示例性的方法将晶片先后暴露于氧化环境和还原环境中的热处理。在该氧化环境的热处理除去残留物并氧化暴露的铜表面以形成氧化铜层。然后在该还原环境中的热处理将氧化铜还原为元素铜。这使得暴露的铜很清洁并适于进一步处理，比如无电镀覆。

公开(公告)号：CN101730929A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200880023363.X

申请日：2008-05-02

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 王忠辉 ,  蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 ,  弗里茨·雷德克 ,  耶兹迪·多尔迪 ,  约翰·博递 ,  米哈伊尔·科罗利克 ,  阿瑟霍·M·瓦尔德 ,  威廉·蒂 ,  普拉文·纳拉

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02074

Abstract: 提供在化学机械抛光之后清洁半导体晶片的方法。一种示例性的方法将晶片先后暴露于氧化环境和还原环境中的热处理。在该氧化环境的热处理除去残留物并氧化暴露的铜表面以形成氧化铜层。然后在该还原环境中的热处理将氧化铜还原为元素铜。这使得暴露的铜很清洁并适于进一步处理，比如无电镀覆。