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公开(公告)号：CN101351282B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200680050024.1
申请日：2006-12-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 埃里克·M·弗里尔 , 约翰·M·德拉里奥斯 , 卡特里娜·米哈利钦科 , 迈克尔·拉夫金 , 米哈伊尔·科罗利克 , 弗雷德·C·雷德克 , 克林特·托马斯 , 约翰·帕克斯
IPC: B08B7/00
CPC classification number: H01L21/6715 , B05D3/10 , C11D3/14 , C11D11/0047 , C11D17/0004 , C11D17/0013 , C23G1/00 , G03F7/42 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/02096 , H01L21/67051
Abstract: 清洁材料设置在基片上。该清洁材料包括分散在液体媒介内的固体成分。力施加到该液体媒介内的固体成分上以使该固体成分接近该基片上存在的污染物。施加到该固体成分上的力可由该液体媒介内的不溶成分施加。当使该固体成分足够接近该污染物时，在该固体成分和该污染物之间建立相互作用。然后，移动该固体成分远离该基片从而将与该固体成分相互作用的该污染物从该基片去除。
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公开(公告)号：CN102741984B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201180007817.6
申请日：2011-01-21
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿米尔·A·亚西尔 , 朱继 , 尹石民 , 戴维·S·L·梅 , 卡特里娜·米哈利钦科
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02057
Abstract: 提供了一种用于处理高深宽比纳米结构表面以有助于在与半导体器件的制造有关的一些精密的处理过程中保护精细的纳米结构的方法。对包含高深宽比纳米结构的晶片进行处置以使得纳米结构的表面变得更加疏水。该处置可包括，应用以化学方式改变纳米结构的表面的底料从而防止纳米结构的表面在随后的湿式清洁过程中损坏。该晶片可被进一步处理，例如在湿式清洁过程后进行干燥过程。纳米结构增长的疏水性有助于减少或防止纳米结构的塌陷。
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公开(公告)号：CN102803564A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080027509.5
申请日：2010-06-21
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 卡特里娜·米哈利钦科
IPC: C23G1/00
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/3753 , C11D17/0013 , C11D17/003
Abstract: 从半导体衬底表面移除污染物的系统、方法和装置，其包括施加清洁材料。所述清洁材料包括清洁溶液和分散于所述清洁溶液的多个微米大小的干聚乙烯醇颗粒。所述清洁溶液为由长聚合链组成的并表现明显的粘弹性的单相聚合物。所述多个微米大小的干聚乙烯醇颗粒吸收所述清洁溶液中的液体并均匀地悬浮在所述清洁材料中。所述悬浮的聚乙烯醇颗粒与半导体衬底表面上污染物的至少一部分相互作用，以从衬底表面释放并移除污染物。释放后的污染物被俘获在所述清洁材料中并与所述清洁材料被移除，留下基本干净的衬底表面。
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公开(公告)号：CN101351281A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200680049954.5
申请日：2006-12-18
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 埃里克·M·弗里尔 , 约翰·M·德拉里奥斯 , 卡特里娜·米哈利钦科 , 迈克尔·拉夫金 , 米哈伊尔·科罗利克 , 弗里茨·C·雷德克
IPC: B08B3/00
CPC classification number: H01L21/6715 , B05D3/10 , C11D3/14 , C11D11/0047 , C11D17/0004 , C11D17/0013 , C23G1/00 , G03F7/42 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/02096 , H01L21/67051
Abstract: 方法和系统，用于清洁基片特征的表面，该表面上具有颗粒物质，具有夹带在其中的耦合元件的射流撞击该表面。将足够的拖曳力传递到该耦合元件以使其关于该液体移动并且导致该颗粒物质相对于该基片移动。
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公开(公告)号：CN102714155B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201180006827.8
申请日：2011-01-05
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 卡特里娜·米哈利钦科 , 丹尼斯·肖明 , 傅乾 , 格伦·W·盖尔 , 刘身健 , 马克·H·威尔科克森
IPC: H01L21/302 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/0206 , H01L21/02068 , H01L21/3081 , H01L21/31111
Abstract: 一种处理在半导体设备制造中所使用的晶片的方法。所述方法可包括在所述晶片上形成高深宽比特征，紧随其后是湿处理和干燥。在干燥过程中，可能发生图案塌陷。该图案塌陷可以被修复如以便能进行所述晶片的附加处理。在一些情况下，图案塌陷可以通过蚀刻来修复，其中该蚀刻打破在图案塌陷期间形成的连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101351281B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN200680049954.5
申请日：2006-12-18
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 埃里克·M·弗里尔 , 约翰·M·德拉里奥斯 , 卡特里娜·米哈利钦科 , 迈克尔·拉夫金 , 米哈伊尔·科罗利克 , 弗里茨·C·雷德克
IPC: B08B3/00
CPC classification number: H01L21/6715 , B05D3/10 , C11D3/14 , C11D11/0047 , C11D17/0004 , C11D17/0013 , C23G1/00 , G03F7/42 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/02096 , H01L21/67051
Abstract: 方法和系统，用于清洁基片特征的表面，该表面上具有颗粒物质，具有夹带在其中的耦合元件的射流撞击该表面。将足够的拖曳力传递到该耦合元件以使其关于该液体移动并且导致该颗粒物质相对于该基片移动。
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公开(公告)号：CN101370885B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200680048939.9
申请日：2006-12-19
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 米哈伊尔·科罗利克 , 埃里克·M·弗里尔 , 约翰·M·德拉里奥斯 , 卡特里娜·米哈利钦科 , 迈克·拉夫金 , 弗雷德·雷德克
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/6715 , B05D3/10 , C11D3/14 , C11D11/0047 , C11D17/0004 , C11D17/0013 , C23G1/00 , G03F7/42 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/02096 , H01L21/67051
Abstract: 提供清洁混合物、装置以及方法以从基片表面去除污染物。提供一种示范性的清洁混合物，以从半导体基片表面去除粒子污染物。该清洁混合物包括粘性流体，其粘度在大约1cP到大约10,000cP之间。该清洁混合物还包括分散在该粘性流体中的多个固体成分，该多个固体成分与该粒子基片表面上的污染物相互作用以从该基片表面去除该粒子污染物。
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公开(公告)号：CN101606230B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200880004543.3
申请日：2008-01-22
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 卡特里娜·米哈利钦科 , 弗里茨·雷德克 , 埃里克·M·弗里尔 , 米哈伊尔·科罗利克 , 约翰·M·德拉里奥斯 , 迈克·拉维肯
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02057 , C25D5/34 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , H01L21/6708 , H01L21/67086 , H01L21/76841
Abstract: 使用邻近头准备基片表面的装置、系统和方法包括在该基片的表面和该邻近头的头部表面之间施加非牛顿流体。该非牛顿流体沿着该头部表面和该基片的表面之间的一个或多个侧面限定容纳壁。具有该非牛顿流体的该一个或多个侧面在该头部表面和该基片的表面之间的该基片上限定处理区域。通过该邻近头向该基片的表面施加牛顿流体，以便所施加的牛顿流体大体上被保持在由该容纳壁限定的该处理区域内。该牛顿流体帮助从该基片的表面除去一种或多种污染物。在一个实施例中，该非牛顿流体还可用于创建环境可控隔离区域，其可以帮助控制该区域内的表面的可控处理。在一个替代实施例中，向该处理区域施加第二非牛顿流体而非该牛顿流体。该第二非牛顿流体作用于该基片的表面上的一种或多种污染物并大体上从该基片的表面除去它们。
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公开(公告)号：CN101589118A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200780038200.4
申请日：2007-08-09
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 郑荣 , 阿诺德·霍洛坚科 , 马克·曼德尔保埃姆 , 格兰特·彭 , 卡特里娜·米哈利钦科
IPC: C09D5/10
Abstract: 在一个实施方式中，揭示了一种处理室本体，该处理器本体使得半导体处理设备至少部分装设在该处理室本体内，该半导体处理装置被配置为使用流体对基板进行处理。该处理器本体包含用来形成该处理室本体的基底材料，该处理室本体由至少一个下表面和与该下表面一体连接的侧壁表面定义，以能够捕获该处理室本体上方的基板处理期间溢出的流体。另外，该基底材料是金属的。该处理器本体还有位于该基底材料上并覆盖该基底材料的底层涂层材料。该底层涂层材料具有金属组分和非金属组分，该金属组分用以与该基底材料整体粘合。该处理室本体还包括位于该底层涂层材料上并覆盖该底层涂层材料的主涂层材料。该主涂层材料由非金属组分定义，该主涂层材料的非金属组分定义了与该底层涂层材料的整体粘合。该主涂层材料被定义为完全覆盖在该底层涂层的所有金属组分上。
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公开(公告)号：CN102422399B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201080020563.7
申请日：2010-05-10
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: G03F7/38 , H01L21/302
CPC classification number: B08B3/041 , H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 对基板的表面进行清洁材料的第一施加。清洁材料包含用于捕获存在所述基板的表面上的污染物的一种或一种以上粘弹性材料。对所述基板的表面进行冲洗流体的第一施加，从而冲洗所述基板的表面上的清洁材料。同时，执行冲洗流体的第一施加，以在所述基板的表面上留下冲洗流体的残留薄膜。对于其上具有冲洗流体的残留薄膜的基板的表面进行清洁材料的第二施加。然后，对所述基板的表面进行冲洗流体的第二施加，从而冲洗所述基板的表面上的清洁材料。
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