用于半导体晶圆制程的声辅助单晶圆湿式清洗

    公开(公告)号:CN102197462A

    公开(公告)日:2011-09-21

    申请号:CN200980142376.3

    申请日:2009-10-14

    CPC classification number: H01L21/67051

    Abstract: 本发明提供的是用于清洗基板的方法,所述方法包括:将液体介质应用于所述基板的表面,从而使所述液体介质大体上覆盖所述基板的待清洗部分。一个或多个传感器被用来产生声能。产生的所述声能被应用于所述基板和所述液体介质弯月面,从而使应用于所述液体介质的声能防止在所述液体介质内产生空化效应。应用于所述基板的所述声能对引入所述液体介质的声波提供最大声波位移。引入所述基板和所述液体介质的所述声能使得所述颗粒污染物能够从所述基板表面被除去。被除去的所述颗粒污染物被包埋在所述液体介质内并被所述液体介质从所述基板表面运走。

    用于半导体晶圆制程的声辅助单晶圆湿式清洗

    公开(公告)号:CN102197462B

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN200980142376.3

    申请日:2009-10-14

    CPC classification number: H01L21/67051

    Abstract: 本发明提供的是用于清洗基板的方法,所述方法包括:将液体介质应用于所述基板的表面,从而使所述液体介质大体上覆盖所述基板的待清洗部分。一个或多个传感器被用来产生声能。产生的所述声能被应用于所述基板和所述液体介质弯月面,从而使应用于所述液体介质的声能防止在所述液体介质内产生空化效应。应用于所述基板的所述声能对引入所述液体介质的声波提供最大声波位移。引入所述基板和所述液体介质的所述声能使得所述颗粒污染物能够从所述基板表面被除去。被除去的所述颗粒污染物被包埋在所述液体介质内并被所述液体介质从所述基板表面运走。

    化学抵抗性半导体处理室本体

    公开(公告)号:CN101589118A

    公开(公告)日:2009-11-25

    申请号:CN200780038200.4

    申请日:2007-08-09

    Abstract: 在一个实施方式中,揭示了一种处理室本体,该处理器本体使得半导体处理设备至少部分装设在该处理室本体内,该半导体处理装置被配置为使用流体对基板进行处理。该处理器本体包含用来形成该处理室本体的基底材料,该处理室本体由至少一个下表面和与该下表面一体连接的侧壁表面定义,以能够捕获该处理室本体上方的基板处理期间溢出的流体。另外,该基底材料是金属的。该处理器本体还有位于该基底材料上并覆盖该基底材料的底层涂层材料。该底层涂层材料具有金属组分和非金属组分,该金属组分用以与该基底材料整体粘合。该处理室本体还包括位于该底层涂层材料上并覆盖该底层涂层材料的主涂层材料。该主涂层材料由非金属组分定义,该主涂层材料的非金属组分定义了与该底层涂层材料的整体粘合。该主涂层材料被定义为完全覆盖在该底层涂层的所有金属组分上。

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